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公开(公告)号：CN111819743B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
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公开(公告)号：CN113366715A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011532.9
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/026 , H04B10/50
Abstract: 本发明提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。该光发射器的特征在于，具备：子载体，搭载RF布线板、调制激光器芯片以及终端电阻体，在上表面具有接地焊盘；以及导线，用于至少将所述RF布线板与所述调制激光器芯片电连接，在所述子载体的宽度方向上配置有所述RF布线板和所述调制激光器芯片，位于从所述RF布线板经由所述终端电阻体直至到达所述接地焊盘的电路径上的所述导线的长度为0.5～1.5mm，或者所述导线具有的电感为0.4～1.2nH。
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公开(公告)号：CN118696472A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021543.9
申请日：2023-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT创新器件有限公司
IPC: H01S5/0239 , H01S5/026 , H01S5/0683 , H01S5/50
Abstract: 提供一种搭载有SOA的EA－DFB激光器组件，其能够小型化和防止由于导线间的串扰而引起的频带劣化。本公开的光发射器是使用了EA－DFB激光器组件的光发射器，具备：RF线路，供给电信号；EA－DFB激光器芯片，其是将电信号转化为光信号的EA－DFB激光器芯片，具备振荡出作为射出的信号光的源头的激光的LD、对激光进行强度调制的EA调制器、对经强度调制的信号光进行放大的SOA以及对激光和信号光进行引导的波导；第一平行平板型电容器，用于去除供给至LD的电流的噪声；第二平行平板型电容器，用于去除供给至SOA的电流的噪声；以及多根导线，将各元件间电连接，第二平行平板型电容器配置于与SOA和所述RF线路邻接的位置。
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公开(公告)号：CN119234363A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202280096204.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 提供一种制造稳定性和反射抑制效果高的光发射器。光发射器在一个基板上单片集成有如下构件：分布反馈型(DFB)激光器，具有由通过电流注入产生光增益的多量子阱形成的活性区域和衍射光栅；电场吸收型(EA)调制器，具有由与DFB激光器不同组成的多量子阱形成的吸收区域；半导体放大器(SOA)，具有与DFB激光器相同组成的活性区域；弯曲波导，使光的传输方向旋转角度θwg；以及无源波导，连接于SOA，且具备具有比DFB激光器的振荡波长短的带隙波长的芯。无源波导包括锥形区域和窄波导区域。锥形区域构成为将连接于SOA的无源波导的宽度W1转换为窄波导区域的宽度W2，无源波导与基板的端面的法线成角度θwg，且与基板的端面相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113366715B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202080011532.9
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/026 , H04B10/50
Abstract: 本发明提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。该光发射器的特征在于，具备：子载体，搭载RF布线板、调制激光器芯片以及终端电阻体，在上表面具有接地焊盘；以及导线，用于至少将所述RF布线板与所述调制激光器芯片电连接，在所述子载体的宽度方向上配置有所述RF布线板和所述调制激光器芯片，位于从所述RF布线板经由所述终端电阻体直至到达所述接地焊盘的电路径上的所述导线的长度为0.5～1.5mm，或者所述导线具有的电感为0.4～1.2nH。
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公开(公告)号：CN111033918A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880050160.3
申请日：2018-09-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/0683
Abstract: 使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有：DFB激光器；EA调制器，连接于DFB激光器；SOA，与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上，连接于EA调制器的出射端；以及受光器，配置于SOA的出射端侧，具有与SOA相同的组成，对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。
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公开(公告)号：CN111033918B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201880050160.3
申请日：2018-09-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/0683
Abstract: 使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有：DFB激光器；EA调制器，连接于DFB激光器；SOA，与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上，连接于EA调制器的出射端；以及受光器，配置于SOA的出射端侧，具有与SOA相同的组成，对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。
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公开(公告)号：CN111819743A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
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