-
公开(公告)号：CN103563252B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280026592.3
申请日：2012-06-29
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/30 , H03G3/3084
Abstract: 一种自动增益控制电路(5a)包括：峰值检测电路(10)，检测来自可变增益放大器(3)的输出信号的峰值电压；平均值检测和输出幅度设置电路(11)，检测来自可变增益放大器(3)的输出信号的平均电压，并且将可变增益放大器(3)的所需输出幅度的1/2电压与平均电压相加；以及高增益放大器(12)对峰值检测电路(10)的输出电压与平均值检测和输出幅度设置电路(11)的输出电压之差进行放大，并且使用放大结果作为增益控制信号来控制可变增益放大器(3)的增益。峰值检测电路(10)包括：晶体管(Q1、Q2、Q3)、电流源(I1)和滤波器电路。滤波器电路包括电阻器(Ra)和电容器(C1)的串联连接。
-
公开(公告)号：CN102292915B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201080005257.6
申请日：2010-01-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H03M1/74
Abstract: 两个D触发器(D-FFMA、D-FFMB)将数字输入信号(DM)划分为两个，并依靠时钟信号(CLK)和互补时钟信号(CLKB)输出两个重新定时的半速率信号(DMR-A、DMR-B)。第一和第二开关(SM1，SM2)由这两个半速率信号(DMR-A、DMR-B)驱动，第三和第四开关(SM3，SM4)由频率与时钟信号(CLK)相同但相位不同的选择信号(SW)和互补选择信号(SWB)驱动。基于此，使从电流源(1)馈入到负载(4)的电流成为与两倍于时钟信号(CLK)频率的转换频率相对应的电流信号。
-
公开(公告)号：CN102124649B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980132010.8
申请日：2009-08-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H03H11/20 , H03H2007/0192 , H03H2011/0494 , H04B10/505 , H04B2210/517
Abstract: 一种矢量和相移器，包括：90°相移器(1)，根据输入信号(VIN)产生同相信号(VINI)和正交信号(VINQ)；四象限乘法器(2I)，基于控制信号(CI)改变同相信号(VINI)的振幅；四象限乘法器(2Q)，基于控制信号(CQ)改变正交信号(VINQ)的振幅；组合器(3)，将同相信号(VINI)与正交信号(VINQ)相组合；以及控制电路(4)。控制电路(4)包括：电压发生器，产生参考电压；以及差分放大器，输出控制电压(VC)与参考电压之间的差信号作为控制信号(CI、CQ)。差分放大器执行将控制电压(VC)转换成类似于正弦波或余弦波的控制信号(CI、CQ)的模拟操作。
-
公开(公告)号：CN102232204B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980148244.1
申请日：2009-08-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种电压发生器(400)，包括：电阻器阶梯，包括电阻器(4000-4008)，对提供的电压进行分压，以产生多个参考电压；电阻器电阻器(4009)，设置在电源电压(VCC)与电阻器阶梯的一个端子之间；以及电阻器(4010)，设置在电源电压(VEE)与电阻器阶梯的另一个端子之间。
-
公开(公告)号：CN102841625B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210202750.8
申请日：2012-06-15
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H03K19/017545
Abstract: 在信号输出电路中，输入缓冲器从外部接收用于命令将输出电路的状态切换至禁用关断状态和启用关断状态之一的单相切换指令信号，并且将单相指令信号转换为由彼此反相的两个信号构成的差分切换指令信号，并将其输出。产生控制电路基于差分切换指令信号，输出产生控制信号，用于控制在控制电压产生电路中控制电压的产生。控制电压产生电路基于产生控制信号输出控制电压，根据单相切换指令信号的逻辑改变控制电压的值。输出电路从外部接收差分输入信号，对差分输入信号进行阻抗转换来输出差分输出信号，并且基于控制电压在差分输入信号的禁用关断状态和启用关断状态之间切换。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102843111A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210208192.6
申请日：2012-06-19
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: H03G3/20
CPC classification number: H03G1/0023
Abstract: 在自动增益控制电路中，峰值检测电路检测并输出可变增益电路的输出信号的峰值电压。平均值检测/输出幅度设置电路检测可变增益电路的输出信号的平均值电压，输出幅度为可变增益电路所需输出幅度1/2的电压与平均值电压相加获得的电压。放大电路对峰值检测电路和平均值检测/输出幅度设置电路的输出电压之差放大，向可变增益电路输出增益控制信号，来控制可变增益电路的增益。峰值检测电路中从接收可变增益电路的输出信号的输入端口到向放大电路输出电压的输出端口的路径上晶体管基极-发射极结的个数等于平均值检测/输出幅度设置电路中从接收可变增益电路的输出信号的输入端口到向放大电路输出电压的输出端口的路径上晶体管基极-发射极结的个数。
-
公开(公告)号：CN111819743A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
-
公开(公告)号：CN102841625A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210202750.8
申请日：2012-06-15
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H03K19/017545
Abstract: 在信号输出电路中，输入缓冲器从外部接收用于命令将输出电路的状态切换至禁用关断状态和启用关断状态之一的单相切换指令信号，并且将单相指令信号转换为由彼此反相的两个信号构成的差分切换指令信号，并将其输出。产生控制电路基于差分切换指令信号，输出产生控制信号，用于控制在控制电压产生电路中控制电压的产生。控制电压产生电路基于产生控制信号输出控制电压，根据单相切换指令信号的逻辑改变控制电压的值。输出电路从外部接收差分输入信号，对差分输入信号进行阻抗转换来输出差分输出信号，并且基于控制电压在差分输入信号的禁用关断状态和启用关断状态之间切换。
-
公开(公告)号：CN102124649A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132010.8
申请日：2009-08-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H03H11/20 , H03H17/08 , H04B10/04 , H04B10/06 , H04B10/142 , H04B10/152
CPC classification number: H03H11/20 , H03H2007/0192 , H03H2011/0494 , H04B10/505 , H04B2210/517
Abstract: 一种矢量和相移器，包括：90°相移器(1)，根据输入信号(VIN)产生同相信号(VINI)和正交信号(VINQ)；四象限乘法器(2I)，基于控制信号(CI)改变同相信号(VINI)的振幅；四象限乘法器(2Q)，基于控制信号(CQ)改变正交信号(VINQ)的振幅；组合器(3)，将同相信号(VINI)与正交信号(VINQ)相组合；以及控制电路(4)。控制电路(4)包括：电压发生器，产生参考电压；以及差分放大器，输出控制电压(VC)与参考电压之间的差信号作为控制信号(CI、CQ)。差分放大器执行将控制电压(VC)转换成类似于正弦波或余弦波的控制信号(CI、CQ)的模拟操作。
-
公开(公告)号：CN111819743B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.029 seconds)
