公开(公告)号：CN1109348C

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN99105594.2

申请日：1999-03-24

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 山下和幸 ,  草叶和幸

IPC分类号： G11C16/00

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/10

摘要： 一种能进行高速重写处理的非易失性半导体存储器装置包括存储单元阵列、多条字线、多条位线、数据设定电路、写入数据锁存电路、X译码器、写入电路和定时控制电路。在存储单元阵列中，存储单元排列为一个矩阵。每一条字线通常都连接到对应页面的存储单元上。每一条位线通常都连接到对应位和地址的存储单元上。数据设定电路在擦除模式下使输入数据反相及在写入模式下直接输出输入数据。写入数据锁存电路根据由地址信号指定的位和地址锁存从数据设定装置输出的数据。

公开(公告)号：CN1201259A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98107458.8

申请日：1998-04-22

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 草叶和幸 ,  岩本诚

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/573 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件,包括一半导体芯片、一布线保护层和一不正常情况检测器。至少其中一个集成电路在半导体芯片上形成。布线保护层以极小的间距在集成电路上分布形成,且由导电光防护材料制成。布线保护层在集成电路工作时加有电源电压。不正常情况检测器监视加到布线保护层上的电压,并在所监视的电压不正常时输出不正常情况检测信号。

公开(公告)号：CN1229995A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN99105594.2

申请日：1999-03-24

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 山下和幸 ,  草叶和幸

IPC分类号： G11C16/00

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/10

摘要： 一种能进行高速重写处理的非易失性半导体存储器装置包括存储单元阵列、多条字线、多条位线、数据设定电路、写入数据锁存电路、X译码器、写入电路和定时控制电路。在存储单元阵列中,存储单元排列为一个矩阵。每一条字线通常都连接到对应页面的存储单元上。每一条位线通常都连接到对应位和地址的存储单元上。数据设定电路在擦除模式下使输入数据反相及在写入模式下直接输出输入数据。写入数据锁存电路根据由地址信号指定的位和地址锁存从数据设定装置输出的数据。