公开(公告)号：CN108389893A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810145227.3

申请日：2012-09-21

申请人： 伊利诺伊大学评议会 ,  塔夫茨大学信托人

发明人： J·A·罗杰斯 ,  F·G·欧姆内托 ,  黄硕元 ,  陶虎 ,  金大亨 ,  D·卡普兰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/08 ,  H01Q1/22 ,  H01Q7/00 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  G11B23/282 ,  H01L23/293 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q7/00 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。

公开(公告)号：CN104472023B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201280068702.2

申请日：2012-09-21

申请人： 伊利诺伊大学评议会 ,  塔夫茨大学信托人

发明人： J·A·罗杰斯 ,  F·G·欧姆内托 ,  黄硕元 ,  陶虎 ,  金大亨 ,  D·卡普兰

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  G11B23/282 ,  H01L23/293 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q7/00 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。

公开(公告)号：CN102474977B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080030607.4

申请日：2010-04-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·奥焦尼 ,  V·孔德雷利 ,  C·费格尔

IPC分类号： G06F21/87

CPC分类号： G06F21/87 ,  G06F2221/2107 ,  G06F2221/2131 ,  H01L23/576 ,  H01L2224/16225 ,  Y10S257/922

摘要： 一种保护密钥和代码免受外部篡改危害的布置，其中在多层安全结构中使用所述布置。更具体地说，提供了保护当在计算机和/或电信系统中使用时易于受到潜在篡改的密钥和代码的多层安全结构。提供了在模块化衬底内制备此类多层安全结构的方法，所述方法旨在使计算机和/或电信系统中使用的密钥和代码免于潜在篡改或未授权访问的危险。

公开(公告)号：CN100547678C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200380107144.7

申请日：2003-12-15

申请人： NXP股份有限公司

发明人： K·-M·H·伦斯森 ,  A·J·M·德尼斯森 ,  N·拉姆伯特

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C7/24

CPC分类号： H01L23/57 ,  G11C8/20 ,  G11C11/16 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种例如MRAM元件(10，11)之类的磁性元件的特殊结构作为包含磁性存储单元的IC的安全装置(30)。所述结构可以包括两个或更多具有预置反平行磁化方向的相关联磁性元件(10，11)的组合。通过确定所述磁性元件的极化方向，可以检测向外部磁场的暴露。反向的极化方向表明正常情况，对准的极化方向表明MRAM阵列已经被暴露于外磁场。采用这种方法可以检测是否在试图采用非法方式擦除或改变存储在MRAM中的数据。所述IC可以在操作期间有规律地检查所述安全系统的电阻。当检测到磁场暴露时，所述IC可以擦除所有的MRAM数据，或者可以复位自身或阻止其起作用。

公开(公告)号：CN1627505A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410010478.9

申请日：2004-11-18

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 松野则昭

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L23/485 ,  H01L21/301 ,  G06K19/07

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/576 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 当划片区域2切断的时候，切割检测器53发送检测信号A给转换电路51并电关断焊点50以及检查目标电路52，然后由检测器55监控从转换电路51到检查目标电路52的输入和输出通路54的固定电位。在同一时间，检查目标电路52被转变到一种模式，其中检测信号A拒绝了检查模式的命令接收。在获取了输入和输出通路54的固定电位的异常的情况下，检查目标电路52就转变进入该安全模式。

公开(公告)号：CN1201259A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98107458.8

申请日：1998-04-22

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 草叶和幸 ,  岩本诚

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/573 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件,包括一半导体芯片、一布线保护层和一不正常情况检测器。至少其中一个集成电路在半导体芯片上形成。布线保护层以极小的间距在集成电路上分布形成,且由导电光防护材料制成。布线保护层在集成电路工作时加有电源电压。不正常情况检测器监视加到布线保护层上的电压,并在所监视的电压不正常时输出不正常情况检测信号。

公开(公告)号：CN1197968A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98107051.5

申请日：1998-02-24

申请人： 通用仪器公司

发明人： 布兰特·坎德洛尔

IPC分类号： G06K19/073

CPC分类号： H01L23/57 ,  G06F21/86 ,  G06F2221/2143 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 反窜改集成电路(IC)装置适用于在IC中使用,该IC运载需要恒定电源信号操作的有源元件例如保密处理器。如果电源信号中断,数据从保密处理器的易失存储器中消失。该存储器位于在IC封装内。外部电源信号通过在壳体外部运载的但可以埋在运载IC的译码器板,微模块基片,或小型卡内的导电路径连接到存储器。导电路径可以直接运载电源信号到存储器,或它可以运载电源信号偏置晶体管。从译码器板,微模块基片或小型卡移开IC封装时通过造成短路或开路将打开导通路径和中断电源信号到存储器,结果是,在存储器内存储的数据将丢失。该装置因此阻止海盗对IC的窜改。

公开(公告)号：CN104472023A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201280068702.2

申请日：2012-09-21

申请人： 伊利诺伊大学评议会 ,  塔夫茨大学信托人

发明人： J·A·罗杰斯 ,  F·G·欧姆内托 ,  黄硕元 ,  陶虎 ,  金大亨 ,  D·卡普兰

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  G11B23/282 ,  H01L23/293 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q7/00 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。

公开(公告)号：CN101441887A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810179792.8

申请日：2003-05-19

申请人： 日本先锋公司

发明人： 黑田和男 ,  柳沢秀一

IPC分类号： G11C5/00 ,  G11C29/50

CPC分类号： G11C29/50 ,  H01L23/573 ,  H01L23/585 ,  H01L27/28 ,  H01L27/283 ,  H01L51/107 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体存储元件及为此的寿命操作开始装置。所述半导体存储元件包括：基板；设置在基板上并由含有特性恶化材料的有机半导体构成的半导体电路部分；以及邻接半导体电路部分设置的保护部分，其中通过预定方法激活特性恶化材料。

公开(公告)号：CN101017833A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710008080.5

申请日：2007-02-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高野圭惠 ,  大泽信晴 ,  加藤清

IPC分类号： H01L27/12 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L27/13 ,  G06K19/07784 ,  G11C7/062 ,  G11C7/22 ,  H01F5/003 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/285 ,  H01L33/36 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/36 ,  H01Q9/27 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： 当在线圈状天线部内形成有占有大面积的导电层时，难以稳定地供应电源。通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以防止电流流过存储电路部所包括的占有大面积的导电层，并可以谋求低耗电量。另外，通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以有效地利用空间。因此，可以实现半导体装置的小型化。