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公开(公告)号:CN102035470A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010500820.9
申请日:2010-09-30
Applicant: 日本电波工业株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/1243 , H03B5/1203 , H03B2200/0008
Abstract: 本发明提供一种电压控制振荡器,该电压控制振荡器小型且能够以低成本制造。本发明的电压控制振荡器具备:谐振部,其包括静电容量根据从外部输入的频率控制用的控制电压发生变化的可变电容元件和电感元件,串联谐振频率根据所述静电容量被调节;放大部,其用于将来自该谐振部的频率信号放大;和反馈部,其包括反馈用的电容元件,使在所述放大部被放大后的频率信号反馈至所述谐振部,与所述放大部及谐振部一起构成振荡环路,所述放大部设置于集成电路芯片中,所述谐振部及反馈用的电容元件作为不形成于所述集成电路芯片中的另外的电路部件被构成。根据振荡频率选择所述电路部件。
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公开(公告)号:CN102035465A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010500816.2
申请日:2010-09-30
Applicant: 日本电波工业株式会社
IPC: H03B5/04
CPC classification number: H03B5/1243 , H03B5/1203 , H03B2200/0008
Abstract: 本发明提供一种电压控制振荡器和电子部件,其为小型且在宽的频率的调节幅度内得到低相位噪音特性。作为石英基板(10),使用与在现有技术中作为谐振部(1)的基板被使用的氟树脂、LTCC等相比具有更良好的特性(损耗因数:tanδ)、且能够利用光刻法形成微细的金属膜的图形的石英,在该石英基板(10)上形成导电线路,构成谐振部(1)的电感元件(11)。由此,能够构成Q值高的谐振部(1),因此能够得到小型且在宽的频带为低损失的电压控制振荡器。
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公开(公告)号:CN102035470B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201010500820.9
申请日:2010-09-30
Applicant: 日本电波工业株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/1243 , H03B5/1203 , H03B2200/0008
Abstract: 本发明提供一种电压控制振荡器,该电压控制振荡器小型且能够以低成本制造。本发明的电压控制振荡器具备:谐振部,其包括静电容量根据从外部输入的频率控制用的控制电压发生变化的可变电容元件和电感元件,串联谐振频率根据所述静电容量被调节;放大部,其用于将来自该谐振部的频率信号放大;和反馈部,其包括反馈用的电容元件,使在所述放大部被放大后的频率信号反馈至所述谐振部,与所述放大部及谐振部一起构成振荡环路,所述放大部设置于集成电路芯片中,所述谐振部及反馈用的电容元件作为不形成于所述集成电路芯片中的另外的电路部件被构成。根据振荡频率选择所述电路部件。
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公开(公告)号:CN102035465B
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201010500816.2
申请日:2010-09-30
Applicant: 日本电波工业株式会社
IPC: H03B5/04
CPC classification number: H03B5/1243 , H03B5/1203 , H03B2200/0008
Abstract: 本发明提供一种电压控制振荡器和电子部件,其为小型且在宽的频率的调节幅度内得到低相位噪音特性。作为石英基板(10),使用与在现有技术中作为谐振部(1)的基板被使用的氟树脂、LTCC等相比具有更良好的特性(损耗因数:tanδ)、且能够利用光刻法形成微细的金属膜的图形的石英,在该石英基板(10)上形成导电线路,构成谐振部(1)的电感元件(11)。由此,能够构成Q值高的谐振部(1),因此能够得到小型且在宽的频带为低损失的电压控制振荡器。
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公开(公告)号:CN102377387A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110235883.0
申请日:2011-08-11
Applicant: 日本电波工业株式会社
Inventor: 山川纯一郎
IPC: H03B7/12
CPC classification number: H03B5/1231 , H03B5/1203 , H03B5/1243
Abstract: 本发明提供一种小型、频率特性良好的电压控制振荡器。电压控制振荡器(VCO)的共振部(1)包含静电电容变化而进行共振频率的调整的可变电容元件(13、14),和电感元件(11),发射极接地型晶体管(21)放大从该共振部(1)输入至基极端子(T1)的频率信号。反馈部(2)包含反馈用的电容元件(22、23),将从所述晶体管(21)的发射极端子(T2)输出的频率信号经由所述基极端子(T1)反馈给晶体管(21)。而且,用于调整向所述基极端子(T1)施加的偏压的基极·分压电阻(R2、R3)和晶体管(21)形成于共用的集成电路(3)内,发射极电阻(R1)作为分体的电阻元件设置在该集成电路(3)外部,用于调整晶体管(21)的动作点。
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