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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1192538A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN98105604.0
申请日：1998-01-20
Applicant: 日本皮拉工业株式会社
Inventor： 谷野吉弥
IPC: G02B1/10
CPC classification number: G02B5/0891 , G21K1/06 , G21K2201/067
Abstract: 本发明的目的是提供对激光等高能光束照射具有充分耐力并适合用作高能光束用的反射镜、衍射光栅等的镜面体。本发明的镜面体是在作为碳化硅烧结体的基体(2)的表面上被覆形成由化学蒸镀的碳化硅膜(3),将该膜表面加工成镜面(3A)。在离碳化硅膜(3)的镜面300A以内深度d范围内存在碳化硅的无缺陷结晶层(3b)。碳化硅膜(3)形成强取向的结晶,以便使在用密勒指数表示的特定的一个结晶面[例如(220)面]上X射线的衍射强度比达到峰值强度的90%以上。
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公开(公告)号：CN1107877C
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN98105604.0
申请日：1998-01-20
Applicant: 日本皮拉工业株式会社
Inventor： 谷野吉弥
IPC: G02B1/10
CPC classification number: G02B5/0891 , G21K1/06 , G21K2201/067
Abstract: 本发明的目的是提供对激光等高能光束照射具有充分耐力并适合用作高能光束用的反射镜、衍射光栅等的镜面体。本发明的镜面体是在作为碳化硅烧结体的基体(2)的表面上被覆形成由化学蒸镀的碳化硅膜(3)，将该膜表面加工成镜面(3)。在离碳化硅膜(3)的镜面300以内深度d范围内存在碳化硅的无缺陷结晶层(3b)。碳化硅膜(3)形成强取向的结晶，以便使在用密勒指数表示的特定的一个结晶面[例如(220)面]上X射线的衍射强度比达到峰值强度的90%以上。
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公开(公告)号：CN1239519A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98801298.7
申请日：1998-08-05
Applicant: 日本皮拉工业株式会社
Inventor： 谷野吉弥
IPC: C30B29/36
Abstract: 在紧密层叠的多个板状的α－SiC单晶片(2)的统一为同一方向的结晶面(2a)上层叠用热CVD法成膜的β－SiC多晶板(4)而形成复合体(M)，在1850－2400℃的温度下对该复合体(M)进行热处理，使得从各α－SiC单晶片(2)的结晶面(2a)向β－SiC多晶板(2)一体地生长与α－SiC单晶片(2)的晶轴同方位取向的单晶，由此可以容易且高效率地制造在界面上几乎不产生晶核和不纯物以及微泡缺陷的高质量的单晶SiC。
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公开(公告)号：CN1231003A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN98800898.X
申请日：1998-06-23
Applicant: 日本皮拉工业株式会社
Inventor： 谷野吉弥
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明是在α－SiC单晶基体材料(1)的表面上通过研磨面以紧密接触的状态重叠、或利用热CVD法层状成膜的方式层叠β－SiC多晶片(2)形成复合体(M),然后对所形成的复合体(M)在1850～2400℃的温度范围内进行热处理,使β－SiC多晶片(2)的多晶体相变成为单晶体,生成与α－SiC单晶基体材料(1)的晶轴同方位取向的单晶。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷、晶格缺陷、也不会由于杂质进入而形成晶界等的高质量的大型单晶SiC。
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公开(公告)号：CN1229445A
公开(公告)日：1999-09-22
申请号：CN98800877.7
申请日：1998-06-23
Applicant: 日本皮拉工业株式会社
Inventor： 谷野吉弥
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明是在α－SiC单晶基体材料(1)的表面上通过PVD法或热CVD法层叠厚度为10μm以上的β－SiC多晶片(2)构成复合体(M),然后对所形成的复合体(M)在1650～2400℃的温度范围内热处理,使β－SiC多晶片(2)的多晶体相变成为单晶体,生成与α－SiC单晶基体材料(1)的晶轴同方位取向的单晶体。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷及因受其影响而产生的缺陷的高质量单晶SiC。
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