公开(公告)号：CN116888310A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280016510.0

申请日：2022-02-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉川润 ,  前田美穗 ,  柴田宏之

IPC: C30B29/16

Abstract: 复合基板(50)具备基底基板(52)和设于基底基板(52)上的α－Ga2O3晶体膜(54)。α－Ga2O3晶体膜(54)的膜厚为10μm以上，碱金属元素的至少1种的含有量为1.2×1015原子/cm3以上且1.0×1018原子/cm3以下。

公开(公告)号：CN116490645A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180043073.7

申请日：2021-09-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉川润 ,  前田美穗 ,  柴田宏之

IPC: C30B29/16

Abstract: 本发明的氧化镓单晶粒子为α－Ga2O3单晶粒子，粒径及高度超过100μm。

公开(公告)号：CN114585776A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080048364.0

申请日：2020-10-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉川润 ,  前田美穗

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

Abstract: 使含有Ga离子的水溶液处于温度400℃以上、压力22.1MPa以上的超临界状态，由此得到α－或β－Ga2O3结晶。