公开(公告)号：CN114761629B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202180006615.3

申请日：2021-01-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 渡边守道 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B1/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/161

摘要： 双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。

公开(公告)号：CN117940620A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202180102294.7

申请日：2021-12-22

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 宫风里纱 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC分类号： C30B29/36 ,  C04B35/577 ,  C30B1/02

摘要： 本发明提供一种能够减少基板加工时的破裂和裂纹的包含稀土的SiC基板。该包含稀土的SiC基板具备B的浓度CB相对于稀土元素的浓度CRE的比CB/CRE为1.0×10‑2～1.0×105的双轴取向SiC层。

公开(公告)号：CN117425752A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202180099091.7

申请日：2021-10-20

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 野崎史恭 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC分类号： C30B29/36

摘要： 提供一种基底面位错密度低且翘曲量小的SiC单晶基板的制造方法。该制造方法包括：将作为晶种的SiC单晶和SiC粉末层以相互接触的状态配置于容器内的工序；将容器配置于烧成炉内的被控制为设定温度±50℃以内的温度域的有效加热带来进行热处理，由此使SiC单晶在晶种上生长的工序。

公开(公告)号：CN115057711A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210702305.1

申请日：2018-10-24

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  前田高宏 ,  吉川润 ,  七泷努

IPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/111 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

公开(公告)号：CN105658849A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201580001462.8

申请日：2015-06-25

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 渡边守道 ,  吉川润 ,  七泷努 ,  今井克宏 ,  杉山智彦 ,  吉野隆史 ,  武内幸久 ,  佐藤圭

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L33/02

CPC分类号： C30B29/38 ,  H01L33/02

摘要： 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。

公开(公告)号：CN102947982A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030073.X

申请日：2011-05-10

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 杉浦隆太 ,  七泷努 ,  吉川润

IPC分类号： H01M4/525 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505

CPC分类号： H01M4/0471 ,  C01G51/42 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/74 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

摘要： 本发明的目的在于提供一种正极活性物质的制造方法，所述方法可稳定地制造能够比以往提高锂二次电池中的容量、耐久性等特性的正极活性物质。本发明涉及锂二次电池的正极活性物质的制造方法，其特征在于包含如下工序：(1)形成含有作为第一成分的锂化合物、作为第二成分的除了锂以外的过渡金属的化合物、作为第三成分的氧化硼以及氧化钒之中的至少任一方作为原料物质的片材状的成型体的成型工序，以及(2)在700~1300℃的范围内的温度将前述成型体烧成的烧成工序。

公开(公告)号：CN113574214B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980081291.2

申请日：2019-09-30

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 渡边守道 ,  吉川润

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B25/02 ,  H01L21/365

摘要： 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板是具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层的基底基板，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，取向层包含：选自由α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的材料、或者含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体，刚玉型结晶结构的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec.以下。

公开(公告)号：CN117529584A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280043244.0

申请日：2022-10-19

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 浦田勇辉 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC分类号： C30B29/36

摘要： 本发明提供一种表面的TSD密度非常小的SiC基板。该基板为具备双轴取向SiC层的SiC基板，在用光致发光(PL)对双轴取向SiC层的表面进行分析、得到以[11‑20]方向的距离(μm)为横轴且以PL强度I为纵轴绘制的坐标图的情况下，(i)上述坐标图具有重复极大点和极小点的形状，其中，极大点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更高的PL强度I的点，且极小点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更低的PL强度I的点，(ii)将某个极大点PM处的PL强度I的极大值设为M、将在[11‑20]方向的距离比该极大点PM长、且位于与该极大点PM最近的位置的极小点Pm处的PL强度I的极小值设为m，此时M/m的比为1.05以上，(iii)极大点PM与极小点Pm在[11‑20]方向的距离L为15～150μm。

公开(公告)号：CN116018260A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180054549.7

申请日：2021-06-09

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC分类号： B32B9/00

摘要： 本发明的层叠结构体是在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体，其中，半导体膜的平均膜厚为10μm以上，半导体膜呈凸状或凹状翘曲，半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。

公开(公告)号：CN108305923A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810324504.7

申请日：2015-03-23

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 渡边守道 ,  吉川润 ,  仓冈義孝 ,  七泷努

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  C30B29/40

摘要： 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。