公开(公告)号：CN1297686C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200410005255.3

申请日：2004-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 齐藤隆雄 ,  中村幸则 ,  近藤好正 ,  大竹尚登

IPC: C23C16/515

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/45557

Abstract: 本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在衬底中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于衬底20的内壁表面20b上，该表面面向在衬底20中形成的空间23。衬底20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于衬底20上，而基本上不将直流偏置电压施加于衬底20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。

公开(公告)号：CN1523132A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005255.3

申请日：2004-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 齐藤隆雄 ,  中村幸则 ,  近藤好正 ,  大竹尚登

IPC: C23C16/515

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/45557

Abstract: 本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在基片中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于基片20的内壁表面20b上，该表面面向在基片20中形成的空间23。基片20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于基片20上，而基本上不将直流偏置电压施加于基片20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。