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公开(公告)号：CN100519837C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510090359.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/26 , Y10T428/30
Abstract: 本发明在使用含有碳源的原料气体生成放电等离子体而形成薄膜时，可以得到品质良好的薄膜。在对置电极(4)、(5)的至少一个上设置基材(6)。通过在含有含碳源原料气体的气氛中，向对置电极(4)、(5)间施加脉冲电压而产生放电等离子体，在基材(6)上生成薄膜(7)。作为脉冲电压施加正脉冲和负脉冲，并且正脉冲和负脉冲的脉冲半幅值小于等于1000ns。
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公开(公告)号：CN1297686C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410005255.3
申请日：2004-02-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/515
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/45557
Abstract: 本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在衬底中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于衬底20的内壁表面20b上，该表面面向在衬底20中形成的空间23。衬底20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于衬底20上，而基本上不将直流偏置电压施加于衬底20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN1718398A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510083081.7
申请日：2005-07-08
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B23P15/243 , B28B3/269 , B28B7/346 , C23C16/26 , C23C16/32 , Y10T29/49861 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明提供耐磨损性能优良且能够降低挤压阻力、实现高度成形性的蜂窝结构体成形用模头。本发明的蜂窝结构体成形用模头1包括：至少具有两个面(8)和(9)、其中一个面(8)上形成导入成形原料的内孔(3)、另一个面(9)上形成与内孔相连通的狭缝(4)的板状模头基体(2)；并且，在模头基体(2)上的构成内孔(3)和狭缝(4)的部位的至少一部分上，覆盖设置有基底层(5)；在基底层(5)的至少一部分上，覆盖设置有由以W3C为主要成分、平均粒径小于等于5μm的碳化钨粒子构成的中间层(6)；在中间层(6)的至少一部分上，覆盖设置有由金刚石和/或金刚石状碳构成的表面层(7)。
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公开(公告)号：CN101809197B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980100392.6
申请日：2009-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/26 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具有：包含两个电极在该两个电极之间产生等离子体通过DLC膜覆盖基板(90)的成膜部(54)；设置了多个该成膜部(54)的室(12)；以及具有电气电路(62)的脉冲电源部(60)，该电气电路(62)对这些多个成膜部(54)分别一一设置，在成膜部54的支撑电极(51)和对向电极(52)之间施加直流脉冲电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1718398B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200510083081.7
申请日：2005-07-08
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B23P15/243 , B28B3/269 , B28B7/346 , C23C16/26 , C23C16/32 , Y10T29/49861 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明提供耐磨损性能优良且能够降低挤压阻力、实现高度成形性的蜂窝结构体成形用模头。本发明的蜂窝结构体成形用模头(1)包括：至少具有两个面(8)和(9)、其中一个面(8)上形成导入成形原料的内孔(3)、另一个面(9)上形成与内孔相连通的狭缝(4)的板状模头基体(2)；并且，在模头基体(2)上的构成内孔(3)和狭缝(4)的部位的至少一部分上，覆盖设置有基底层(5)；在基底层(5)的至少一部分上，覆盖设置有由以W3C为主要成分、平均粒径小于等于5μm的碳化钨粒子构成的中间层(6)；在中间层(6)的至少一部分上，覆盖设置有由金刚石和/或金刚石状碳构成的表面层(7)。
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公开(公告)号：CN101809197A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200980100392.6
申请日：2009-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/26 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具有：包含两个电极在该两个电极之间产生等离子体通过DLC膜覆盖基板(90)的成膜部(54)；设置了多个该成膜部(54)的室(12)；以及具有电气电路(62)的脉冲电源部(60)，该电气电路(62)对这些多个成膜部(54)分别一一设置，在成膜部(54)的支撑电极(51)和对向电极(52)之间施加直流脉冲电压。
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公开(公告)号：CN100569472C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510114305.6
申请日：2005-10-20
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C23C16/26 , B28B3/26 , B28B3/2672 , B28B3/269
Abstract: 本发明提供了耐磨损性能良好并且可以显著降低不合格率的陶瓷挤压成形用模具。该模具是用于挤出陶瓷成形体的陶瓷挤压成形用模具，其与被挤压的陶瓷坯泥相接触的部分的表面粗糙度(Ra)大于等于0.1μm。
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公开(公告)号：CN1733968A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510090359.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/26 , Y10T428/30
Abstract: 本发明在使用含有碳源的原料气体生成放电等离子体而形成薄膜时，可以得到品质良好的薄膜。在对置电极(4)、(5)的至少一个上设置基材(6)。通过在含有含碳源原料气体的气氛中，向对置电极(4)、(5)间施加脉冲电压而产生放电等离子体，在基材(6)上生成薄膜(7)。作为脉冲电压施加正脉冲和负脉冲，并且正脉冲和负脉冲的脉冲半幅值小于等于1000ns。
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公开(公告)号：CN1523132A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410005255.3
申请日：2004-02-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/515
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/45557
Abstract: 本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在基片中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于基片20的内壁表面20b上，该表面面向在基片20中形成的空间23。基片20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于基片20上，而基本上不将直流偏置电压施加于基片20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。
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