公开(公告)号：CN119654452A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202280095382.3

申请日：2022-08-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 浦田勇辉 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供能够减少磨削、研磨、切断等基板加工时的开裂及裂纹的SiC基板。该SiC基板具备双轴取向SiC层，SiC基板及双轴取向SiC层具有偏角。关于该SiC基板，在对双轴取向SiC层中的某个4mm见方的区域进行X射线形貌(XRT)测定得到的XRT图像中，基面位错(BPD)的进展方向与[11－20]方向所成的角的锐角侧的绝对值为15°以下的BPD的数量相对于BPD的总数的比例为60％以上。BPD的进展方向定义为：在XRT图像中，将观察为线状的BPD的终点和自终点沿着线状的BPD离开150μm的点连结得到的线段的方向。

公开(公告)号：CN117529584A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280043244.0

申请日：2022-10-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 浦田勇辉 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种表面的TSD密度非常小的SiC基板。该基板为具备双轴取向SiC层的SiC基板，在用光致发光(PL)对双轴取向SiC层的表面进行分析、得到以[11‑20]方向的距离(μm)为横轴且以PL强度I为纵轴绘制的坐标图的情况下，(i)上述坐标图具有重复极大点和极小点的形状，其中，极大点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更高的PL强度I的点，且极小点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更低的PL强度I的点，(ii)将某个极大点PM处的PL强度I的极大值设为M、将在[11‑20]方向的距离比该极大点PM长、且位于与该极大点PM最近的位置的极小点Pm处的PL强度I的极小值设为m，此时M/m的比为1.05以上，(iii)极大点PM与极小点Pm在[11‑20]方向的距离L为15～150μm。