公开(公告)号：CN118162617A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311421829.4

申请日：2023-10-30

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 后藤空 ,  久野修平 ,  松叶浩臣

IPC: B22F3/10 ,  B22F7/06

Abstract: 本发明提供一种金属含浸陶瓷烧成体的制造方法，其能够有助于制品的成品率提高。一种金属含浸陶瓷烧成体的制造方法，其包括：第一金属含浸陶瓷烧成体的制作工序1，包括通过加热至金属的熔点以上而将该金属含浸在陶瓷成型体内；以及第二金属含浸陶瓷烧成体的制作工序2，通过将第一金属含浸陶瓷烧成体再加热至上述金属的熔点以上，从而除去含浸在第一金属含浸陶瓷烧成体中的上述金属的一部分，该第二金属含浸陶瓷烧成体的金属含浸量比第一金属含浸陶瓷烧成体少。

公开(公告)号：CN116768646B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310124177.1

申请日：2023-02-16

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 后藤空 ,  久野修平 ,  木村大辅 ,  松叶浩臣

IPC: C04B38/00 ,  F28F21/00 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B35/66 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种能够提高Si‑SiC类复合结构体的制造效率的Si‑SiC类复合结构体的制造方法。本发明的实施方式所涉及的Si‑SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，供给体的与成型体接触的接触部分为与成型体对置的面的一部分。

公开(公告)号：CN116803954A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310124185.6

申请日：2023-02-16

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 后藤空 ,  久野修平 ,  松叶浩臣

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B35/66 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供能够制造能抑制成型体变形、且具有期望的形状的Si‑SiC类复合结构体的Si‑SiC类复合结构体的制造方法。在本发明的实施方式所涉及的Si‑SiC类复合结构体的制造方法中，在使含有SiC的成型体与用于抑制成型体的变形的变形抑制部件接触，并且使含有Si的供给体与成型体接触的状态下，对供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于成型体。

公开(公告)号：CN118162616A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311419345.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 后藤空 ,  久野修平 ,  松叶浩臣

IPC: B22F3/10 ,  B22F7/06

Abstract: 本发明提供一种金属含浸陶瓷烧成体的制造方法，能够有助于制造成本的削减。该金属含浸陶瓷烧成体的制造方法包括工序1以及工序2；在工序1中，使粉粒体状的金属与陶瓷成型体接触；在工序2中，通过在使所述粉粒体状的金属与所述陶瓷成型体接触的状态下，加热到该金属的熔点以上，从而一边使该金属含浸至所述陶瓷成型体内一边进行烧成，得到金属含浸陶瓷烧成体。

公开(公告)号：CN118162618A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311423287.4

申请日：2023-10-30

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 后藤空 ,  久野修平 ,  松叶浩臣

IPC: B22F3/10 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明提供一种烧成用夹具及金属含浸陶瓷烧成体的制造方法，能够有助于制造成本的削减且有助于制品的品质的稳定和成品率的提高。该烧成用夹具是用于使金属含浸于陶瓷成型体内的夹具，其具备第一载置面以及与第一载置面邻接的第二载置面，第一载置面用于直接或者隔着粉粒体状的所述金属或隔着多孔质支撑件载置所述陶瓷成型体，第二载置面用于载置粉粒体状的所述金属；第二载置面具有朝向第一载置面而向下方倾斜的斜坡。

公开(公告)号：CN116768646A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310124177.1

申请日：2023-02-16

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 后藤空 ,  久野修平 ,  木村大辅 ,  松叶浩臣

IPC: C04B38/00 ,  F28F21/00 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B35/66 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种能够提高Si‑SiC类复合结构体的制造效率的Si‑SiC类复合结构体的制造方法。本发明的实施方式所涉及的Si‑SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，供给体的与成型体接触的接触部分为与成型体对置的面的一部分。