光探针、探针卡、测定系统以及测定方法

    公开(公告)号:CN114981941A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202080093269.2

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 光探针由芯部和配置于芯部的外周的包层部构成,光信号所入射的入射面是曲率半径(R)的曲面。使用光信号的辐射角(γ)、以不透过包层部的方式在芯部中传播的光信号的入射面处的有效入射半径(Se)、光信号的入射面的入射点处的芯部的折射率(n(r))及入射点处的折射角(β),曲率半径(R)和入射点处的中心半角(ω)满足以下关系:R=Se/sin(ω),ω=±sin‑1({K22/(K12+K22)}1/2)。其中,K1=n(r)×cos(β)‑cos(γ/2),K2=n(r)×sin(β)‑sin(γ/2)。

    光探针、探针卡、测定系统以及测定方法

    公开(公告)号:CN114981941B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202080093269.2

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 光探针由芯部和配置于芯部的外周的包层部构成,光信号所入射的入射面是曲率半径(R)的曲面。使用光信号的辐射角(γ)、以不透过包层部的方式在芯部中传播的光信号的入射面处的有效入射半径(Se)、光信号的入射面的入射点处的芯部的折射率(n(r))及入射点处的折射角(β),曲率半径(R)和入射点处的中心半角(ω)满足以下关系:R=Se/sin(ω),ω=±sin‑1({K22/(K12+K22)}1/2)。其中,K1=n(r)×cos(β)‑cos(γ/2),K2=n(r)×sin(β)‑sin(γ/2)。

    光学探针及其制造方法、光学探针阵列、光学探针卡

    公开(公告)号:CN113720581A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110552745.9

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 提供一种传输模式为单模且能够高效地测定光学器件的光学探针、光学探针阵列、光学探针卡以及光学探针的制造方法。光学探针(10)具备以使传输模式为单模的光波导连续的方式连结的第一区域(11)和第二区域(12)。连续到与光学器件(20)相对的顶端面(100)的第一区域(11)包括在顶端面(100)为最大的模场直径朝向第一区域(11)与第二区域(12)的区域边界(13)逐渐变窄的区域。顶端面(100)为曲面,顶端面(100)的曲率半径被设定为使从顶端面(100)入射的光信号(L)的行进方向与光波导的中心轴方向近似平行。

    探针单元
    7.
    发明公开
    探针单元 审中-实审

    公开(公告)号:CN115436775A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210620068.4

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 本发明提供一种探针单元,即便触头对高频电路的接合位置发生偏移也能使触头的自由长度固定,从而能稳定地接触电极,提高测定品质。本发明的探针单元具备:同轴连接器,其安装于主体部,经由同轴电缆与测试器之间收发电信号;高频电路,其与同轴连接器连接而传输电信号;多个触头,它们的顶端部电性接触被检查体的电极,与高频电路之间收发电信号;以及底座,其介存于触头与高频电路之间,底座以各触头的自由长度变为规定长度的方式分别设置于触头上。

    测定系统
    8.
    发明公开
    测定系统 审中-实审

    公开(公告)号:CN112824915A

    公开(公告)日:2021-05-21

    申请号:CN202011296783.4

    申请日:2020-11-18

    Abstract: 提供一种测定系统,能够抑制形成于半导体基板的光半导体元件的测定时间增大。测定系统具备:配置m个光探针群(111~11m)而形成的光探针阵列,m个光探针群各自具有n根光探针(101~10n);m个光信号选择器(211~21m),m个光信号选择器各自与m个光探针群中的任一个光探针群以1对1的方式对应,从由对应的探针群的光探针分别输出的光信号中选择一个光信号来输出;以及控制电路,其控制光信号选择器。测定系统通过控制电路的控制,重复切换光信号选择器对光信号的选择,直到选择了从m个光探针群中包含的全部的光探针输出的光信号为止。

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