公开(公告)号：CN102686693A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059718.8

申请日：2010-12-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 花野真之 ,  佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的目的是提供一种CMP用研磨液及使用其的研磨方法，该研磨液在ILD膜的CMP工序中，可以在减少研磨损伤的同时获得充分高的研磨速度，并且研磨粒的聚集不易产生，可以获得高平坦性。本发明的CMP用研磨液是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，研磨粒包含铈系粒子，添加剂包含通式（1）所示的4-吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方。[式中，X11、X12和X13各自独立地是氢原子或1价的取代基。