公开(公告)号：CN117280448A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280034050.4

申请日：2022-02-21

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池田靖 ,  樱井直树 ,  大岛隆文 ,  白头拓真

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明的半导体器件中，具有Ni‑V电极的半导体元件经由Sn系无铅焊料与导体接合，并且，与所述半导体元件和所述Sn系无铅焊料的界面相邻地，分别形成有Sn‑V化合物层以及与所述Sn‑V化合物相邻的(Ni,Cu)3Sn4化合物层。此外，本发明的半导体器件的制造方法通过使所述Sn系无铅焊料与所述Ni‑V电极反应而形成Sn‑V层和(Ni,Cu)3Sn4化合物层，并使得在所述Sn‑V层形成后，在所述Ni‑V电极中残留有未与所述Sn系无铅焊料反应的未反应的层。

公开(公告)号：CN114144965A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080051602.3

申请日：2020-07-14

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 白头拓真 ,  大岛隆文 ,  松下晃

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/34 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明通过减小开关元件导通和关断时产生的电感环路的失真来提高电感减小效果。上臂电路部(201U)和下臂电路部(201L)在与上臂电路部(201U)和下臂电路部(201L)分离的第一方向正交的第二方向上偏移地设置，由正极端子部(181)、负极端子部(155)和缓冲元件(30)构成的缓冲电路连接部区域(202)的至少一部分设置在因上臂电路部(201U)和下臂电路部(201L)在第二方向上偏移而产生的第一区域内。