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1.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN109005669B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201780020105.5

申请日：2017-01-23

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 德山健 , 松下晃 , 诹访时人

IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48

Abstract: 存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地，绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置，从而能够确保绝缘距离。

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