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公开(公告)号：CN101447540A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810169999.7
申请日：2008-10-16
申请人： 日立电线株式会社
CPC分类号： H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L33/305 , H01S5/0421 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/34326
摘要： 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。
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公开(公告)号：CN101447540B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810169999.7
申请日：2008-10-16
申请人： 日立电线株式会社
CPC分类号： H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L33/305 , H01S5/0421 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/34326
摘要： 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。
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公开(公告)号：CN1276523C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03146727.X
申请日：2003-07-09
申请人： 日立电线株式会社
CPC分类号： H01L27/153 , B41J2/45
摘要： 本发明提供一种发光二极管阵列，它能够防止台面蚀刻的高差斜面部分产生的Au加工残留造成的布线短路，同时容易控制发光部的尺寸、成品率高且批量化生产性强。其特征在于，具有：在基片上形成的导电层、在前述导电层上形成的各自独立的发光部、在各发光部上面的至少一部分形成的第一电极、和接近前述发光部并在前述导电层上形成的第二电极；前述第一电极具有开关用的矩阵共电极、前述第二电极具有按块分割的共电极；前述第一共电极及前述第二共电极上延伸存在的压焊片的至少一方设在前述导电层上呈岛状形成的压焊部上，而且前述压焊片各自独立形成。
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公开(公告)号：CN1527411A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03146727.X
申请日：2003-07-09
申请人： 日立电线株式会社
CPC分类号： H01L27/153 , B41J2/45
摘要： 本发明提供一种发光二极管阵列，它能够防止台面蚀刻的高差斜面部分产生的Au加工残留造成的布线短路，同时容易控制发光部的尺寸、成品率高且批量化生产性强。其特征在于，具有：在基片上形成的导电层、在前述导电层上形成的各自独立的发光部、在各发光部上面的至少一部分形成的第一电极、和接近前述发光部并在前述导电层上形成的第二电极；前述第一电极具有开关用的矩阵共电极、前述第二电极具有按块分割的共电极；前述第一共电极及前述第二共电极上延伸存在的压焊片的至少一方设在前述导电层上呈岛状形成的压焊部上，而且前述压焊片各自独立形成。
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