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公开(公告)号：CN102222690A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110097172.1
申请日：2011-04-15
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 土屋忠严
IPC: H01L29/778 , H01L29/00
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: 本发明的课题在于稳定地提供具有有着高的绝缘性的氮化物系半导体层的氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置。本发明的课题的解决方案为，在绝缘性基板上，具有电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.1μm以上1.5μm以下的半绝缘性氮化物系半导体层。
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