公开(公告)号：CN102465344A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110375181.2

申请日：2011-11-17

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 木村健

IPC: C30B29/42 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B29/42 ,  C30B15/22 ,  C30B27/02 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明的课题在于提供即使大口径化也可抑制滑移不良的发生的GaAs晶片及其制造方法。本发明的解决课题的方法为GaAs晶片的制造方法，其具有以下工序：通过LEC法生长GaAs单晶的生长工序、和将生长工序中得到的GaAs单晶进行切片来制作GaAs晶片的晶片制作工序；在生长工序中，GaAs单晶与原料熔液之间的固液界面的形状在上述原料熔液侧成为凸状，由原料熔液与液体密封材之间的界面到原料熔液中的GaAs单晶的顶端部的长度T1、与GaAs单晶的外径T2之比T1/T2为0.25≤T1/T2≤0.45，在晶片制作工序中得到的GaAs晶片的通用硬度在晶片面内一样为4000N/mm2以上4850N/mm2以下。