公开(公告)号：CN113053611A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011541299.3

申请日：2020-12-23

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 小川雄一 ,  伊藤直辉 ,  白武隆弘 ,  太田元基

IPC: H01F1/153 ,  H01F3/04 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明提供饱和磁通密度高、铁损低的软磁性合金、由该合金构成的软磁性合金薄带及其制造方法、使用该软磁性合金薄带的磁芯以及部件。本发明的软磁性合金由组成式FeaSibBcCudMe表示，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf、W中的至少1种元素，按原子％计，82.5≦a≦86、0.3≦b≦3、12.5≦c≦15.0、0.05≦d≦0.9、0≦e＜0.4，所述软磁性合金具有粒径60nm以下的晶粒存在于非晶相中的组织。

公开(公告)号：CN114823030A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210055188.4

申请日：2022-01-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 小川雄一 ,  伊藤直辉 ,  白武隆弘 ,  太田元基

IPC: H01F1/147 ,  H01F1/16 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明的课题在于提供一种饱和磁通密度高、铁损低的软磁性合金、软磁性合金薄带及其制造方法、磁芯、以及部件。解决方案为一种软磁性合金，其为由组成式(Fe1‑xAx)aSibBcCudMe表示的软磁性合金，其中，A为Ni和Co中的至少1种，M为选自由Nb、Mo、V、Zr、Hf和W组成的组的1种以上，以原子％计82.4≤a≤86、0.2≤b≤2.4、12.5≤c≤15.0、0.05≤d≤0.8、0.4≤e≤1.0、0≤x≤0.1，所述软磁性合金具有在非晶相中存在粒径60nm以下的晶粒的组织。