公开(公告)号：CN118039499A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410212281.0

申请日：2024-02-27

申请人： 日荣半导体(上海)有限公司

发明人： 杨威源

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种简化的晶圆级工艺流程，所述工艺流程包括如下步骤：S1、钝化保护；S2、涂覆PI，激光开孔；S3、设置RDL层；S4、退膜、蚀刻；S5、二次涂覆PI，激光开孔；S6、设置UBM层；S7、二次退膜、蚀刻。本发明使用激光打孔代替黄光制程的曝光、显影，省去额外制作光刻掩膜的时间及成本，不需要额外的显影药水，以及不存在药水活性降低导致的药水浪费，并且简化了封装流程。

公开(公告)号：CN118173458A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410212284.4

申请日：2024-02-27

申请人： 日荣半导体(上海)有限公司

发明人： 杨威源

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种晶圆级流程简化封装工艺，所述封装工艺包括如下步骤：S1、钝化保护；S2、设置RDL层；S3、退膜、蚀刻；S4、涂覆PI；S5、植球。本发明在植球前跳过UBM层制造流程，直接在PI开孔上植球，并在设置RDL层进行一步涂PI层、曝光、显影，极大地简化流程并減少成本。