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公开(公告)号：CN118173459A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410284951.X
申请日：2024-03-13
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 郑刚
摘要： 本发明公开了于半导体加工技术领域的一种采用喷涂光阻来提供离子束分割芯片时的保护层工艺，所述工艺包括如下步骤：将芯片放置在喷涂机的吸盘上，调整吸盘温度，调节喷嘴高度，使用N2作为载体气体，启动喷涂机的超声系统，同时开始高速旋转晶圆，此时晶圆旋转甩开的动作配合喷嘴的运动，对芯片涂覆保护膜；重复数次喷涂过程，确保光阻层覆盖均匀，达到所需的保护膜厚度；喷涂结束后，将已涂覆的芯片放置在预热的烤箱中进行烘烤，使所述光阻层固化定型。本发明能够实现在高台阶低平坦化的表面全部覆盖，实现保护膜的作业的高效、高覆盖率，比较适用于作为离子束切割分离的保护膜涂布的工艺方式，从而保障离子束切割分离的高质量。
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公开(公告)号：CN118136582A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410284954.3
申请日：2024-03-13
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 郑刚
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/67 , B23K10/00 , B24B7/22
摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种采用离子束蚀刻分割硅基衬底芯片的工艺制程，包括如下步骤：(1)晶圆接收；(2)贴BG膜；(3)磨片；(4)UV解胶；(5)清洗甩干；(6)贴PESi膜；(7)等离子切割。为了解决晶圆切割速度慢、产能低的问题，本发明采用高能离子束来蚀刻轰击切割道，实现芯片快速分离，并且具备小尺寸芯片分离的目的。本发明采用高能离子束来蚀刻轰击切割道，来实现芯片快速分离，并且具备小尺寸芯片分离的目的，本发明提供的工艺制程高效、低成本、高良率，最低可实现5μm宽度的分割。
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公开(公告)号：CN108447784B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810263980.2
申请日：2018-03-28
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 杨联富
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及研磨机晶圆放反报警系统及方法。根据本发明的一实施例，晶圆检测系统包含晶圆，所述晶圆具有正面和与所述正面相对的反面，其中所述正面具有电路图案；以及光学检测器，其安置于所述晶圆下方且不与所述晶圆接触，所述光学检测器经配置以接收从晶圆表面射出的光线，并确定面向所述光学检测器的所述晶圆表面是所述晶圆的所述正面。本发明的研磨机晶圆放反报警系统及方法有效改善因操作人员将晶圆放反而造成的高额经济损失。
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公开(公告)号：CN118064844A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410212283.X
申请日：2024-02-27
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 林志铭
摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种提高钛钨溅镀覆盖率的工艺，包括如下步骤：S1、第一次通入气体；S2、第一次点火；S3、第一次沉积；S4、第二次点火；S5、第二次沉积；S6、断电；S7、关闭闸阀；S8、排气；S9、保持温度、压力；S10、抽气；S11、第二次通入气体；S12、第三次点火；S13、第三次沉积S14、二次断电；S15、结束溅镀。本发明通过调整成分段沉积来降低沉积的速度以提高钛钨溅镀层薄膜的覆盖率，同时调整功率、氩气流量来调整钛钨溅镀层薄膜的电阻率及内应力以符合技术要求。
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公开(公告)号：CN118039499A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410212281.0
申请日：2024-02-27
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 杨威源
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种简化的晶圆级工艺流程，所述工艺流程包括如下步骤：S1、钝化保护；S2、涂覆PI，激光开孔；S3、设置RDL层；S4、退膜、蚀刻；S5、二次涂覆PI，激光开孔；S6、设置UBM层；S7、二次退膜、蚀刻。本发明使用激光打孔代替黄光制程的曝光、显影，省去额外制作光刻掩膜的时间及成本，不需要额外的显影药水，以及不存在药水活性降低导致的药水浪费，并且简化了封装流程。
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公开(公告)号：CN115799204A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211532645.0
申请日：2022-12-01
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 赵雪晴
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/49
摘要： 一种集成电路引线框架单元、集成电路引线框架以及集成电路产品。所述集成电路引线框架单元包括承载部、连接单元、边框单元以及引脚。所述承载部经配置以承载集成电路芯片。所述连接单元的主干的一端连接至所述承载部，另一端延伸出第一分支和第二分支。所述边框单元围绕所述承载部和所述连接单元设置。所述边框单元包括相邻的第一边框和第二边框。所述第一分支和所述第二分支分别连接至所述第一边框和所述第二边框。所述引脚设置在所述第一分支、所述第二分支、所述第一边框和所述第二边框包围的区域中。所述集成电路引线框架包括阵列排列的多个集成电路引线框架单元。所述集成电路产品应用上述集成电路引线框架单元来实现。
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公开(公告)号：CN118538648A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410667416.2
申请日：2024-05-28
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 薛根进
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了晶圆加工技术领域的一种全自动晶圆设备Stage改善设计，所述改善设计包括如下步骤：(1)Stage材质变更：将Stage材质由陶瓷改为SUS303；(2)Stage形状变更：在Stage表面增加沟槽和通孔并增大真空孔；(3)Pin材质变更：将Pin材质由SUS304变更为PEEK；(4)Pin形状变更：增大Pin直径。本发明改善了陶瓷Stage产生静电的情况，防止静电导致的吸附力增强以及伤及产品，减少Wafer与Stage之间的接触降低表面附着力，缩短破真空时间，抑制吸附力过度下降，保证产品不会产生位移，实现轻量化，降低Pin冲击Wafer的力，增加接触面积，减少Wafer单位面积的承受力。在真空OFF条件下测试Stage表面吸附力，表明改善后的Stage与Wafer接触面的吸附力趋于零，使Stage避免产生静电以及由于吸附力导致的破片。
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公开(公告)号：CN118486624A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410667589.4
申请日：2024-05-28
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 郑刚
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种能够匹配AMHS系统的金属料盒自动handle机构，包括底板，所述底板上固定连接有侧壁一，所述底板上固定连接有侧壁二，所述底板上固定连接有侧壁三，所述侧壁一上固定连接有多个长挡板，所述侧壁一上固定连接有抓手，所述底板上固定连接有侧壁四，所述侧壁四上固定连接有多个短挡板，所述侧壁一的上部固定连接有上部板，所述上部板的上部固定连接有连接柱，所述连接柱上部固定连接有抓头，所述底板与上部板上开设有多个孔洞。本发明能够搭配合适的抓手钩子，相互契合，不但能完美的实现AGV的抓取需求，还能防止搬运过程中抓手不稳会滑落的风险，进而实现由AGV自动送入烘箱，解决了搭建智能工厂在这一工序的疑难问题。
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公开(公告)号：CN117428948A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311355879.7
申请日：2023-10-19
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 朱忠国
摘要： 本发明属于芯片切割技术领域，具体为一种新型封装芯片的偏心切割装置，包括：操作平台，所述操作平台为中空的柜体状，所述操作平台的内腔设置有电控箱；操作面板，所述操作面板嵌入在操作平台的外壁上，所述电控箱与操作面板电性连接；移动推板和固定挡板，所述移动推板和固定挡板位置相对，且移动推板和固定挡板之间形成芯片板夹持空间。基于图像识别摄像头的设置，将切割时，设定基准线宽度设定与所选切割刀厚度一致；使得基准线的边缘与打线边pad边缘一致；切割后，靠近打线边的测试pad会被完全切除，不存在残留翘曲，方便后续工序作业。
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公开(公告)号：CN118665854A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410667414.3
申请日：2024-05-28
申请人： 日荣半导体(上海)有限公司
发明人： 郑刚
摘要： 本发明公开了半导体加工技术领域的一种能够直接应用在光刻机版库内的光刻版保存盒，包括下层底盒，所述下层底盒上部滑动连接有上滑盖，所述下层底盒两侧开设有滑槽，所述上滑盖内部两侧固定连接有滑块，所述滑块在滑槽内滑动，所述上滑盖的一端转动连接有活动轴，所述活动轴固定连接有前开门，所述下层底盒内部固定连接有定位角件，所述下层底盒内部固定连接有软垫。发明提供了抽屉式的光刻版运输盒，不但能够完成运输保存的目的，还能直接用于装载到光刻机上使用，低成本、结构轻巧的实现了光刻版闲置存放及上机均为同一块包装盒，一盒两用，避免了人工频繁的转移操作，避免引入颗粒灰尘甚至沾污、损坏光刻版的风险，提高了光刻版的使用环境。
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