公开(公告)号：CN1288592A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802256.X

申请日：1999-01-22

Applicant: 时至准钟表股份有限公司

Inventor： 宫崎太一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76828

Abstract: 一种把有机系层间绝缘膜(19)作为绝缘膜,在上下多层地形成要在半导体装置上边形成的布线的半导体装置的制造方法,其特征是:对其绝缘电阻因受到由等离子体引起的损伤而降低的有机系层间绝缘膜(19),用溅射刻蚀法,进行目的为减小下层布线(13a、13b)和上层布线(21a、21b)之间的接触电阻的灰化处理或灰化处理和热处理,借以除去作为受到等离子体损伤的表面层的带电层(19a),提高绝缘电阻值,使得反向漏流不能在上层布线(21a、21b)间流动。