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公开(公告)号:CN106133886B
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201580016286.5
申请日:2015-03-23
申请人: 富士胶片株式会社
IPC分类号: H01L21/312 , C08F212/00 , C08F220/10 , H01L21/283 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号: H01L51/004 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F20/28 , C08F212/14 , C08F2500/02 , C08F2800/10 , C08F2810/20 , H01L21/02118 , H01L29/786 , H01L51/0043 , H01L51/0055 , H01L51/0071 , H01L51/0094 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , C08F2220/325 , C08F212/32 , C08F220/36 , C08F2220/302 , C08F2220/343
摘要: 本发明提供一种半导体元件及绝缘层形成用组成物,所述半导体元件具有半导体层、及与该半导体层相邻的绝缘层,在所述半导体元件中,所述绝缘层由高分子化合物的交联物形成,该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)。通式(IA)中,R1a表示氢原子、卤原子或烷基。L1a及L2a分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基。m2a表示1~5的整数,当m2a为2以上时,m2a个X可以彼此相同也可以互不相同。m1a表示1~5的整数,当m1a为2以上时,m1a个(‑L2a‑(X)m2a)可以彼此相同也可以互不相同。通式(IB)中,R1b表示氢原子、卤原子或烷基。L1b表示单键或连结基,Ar1b表示芳香族环。m1b表示1~5的整数。
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公开(公告)号:CN105633123B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201610105082.5
申请日:2013-10-29
申请人: 乐金显示有限公司
CPC分类号: H01L27/3204 , H01L21/02118 , H01L27/3206 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L27/3295 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H01L2227/323
摘要: 公开一种用于制造有机电致发光显示器的方法,所述方法包括:在包括第一像素区域的基板上形成第一塑料层;将所述第一塑料层图案化以在所述第一像素区域中形成第一开口;在具有所述第一开口的第一塑料层上形成第一有机发光层;以及从所述基板去除所述第一塑料层,以在所述第一开口中形成第一有机发光图案。其中所述基板包括第二和第三像素区域,所述方法还包括:在形成所述第一有机发光层之后,将所述第一有机发光层和所述第一塑料层图案化,以在所述第二像素区域中形成第二开口;在具有所述第二开口的第一有机发光层上形成第二有机发光层;将所述第二有机发光层、第一有机发光层和第一塑料层图案化,以在所述第三像素区域中形成第三开口。
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公开(公告)号:CN104024940B
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201280065648.6
申请日:2012-11-29
申请人: 第一毛织株式会社
IPC分类号: G03F7/11 , G03F1/38 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号: C07C39/21 , C07C39/225 , C08G65/38 , G03F1/00 , G03F7/094 , G03F7/20 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/31144
摘要: 本发明涉及一种由式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号:CN107768277A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710704464.4
申请日:2017-08-16
申请人: 株式会社斯库林集团
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/027
CPC分类号: B05D1/60 , B05D3/007 , G03F7/0002 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/0273 , H01L21/67103 , H01L21/68742
摘要: 本发明公开热处理装置、基板处理装置、热处理方法及基板处理方法。在该处理装置的室内容纳有加热板。在该室内存在含溶剂气体的状态下,在加热板的上方位置保持形成有DSA膜的基板。由此,以不产生微相分离的温度对环境气体进行中性化。然后,在该室内存在含溶剂气体的状态下,在加热板的上表面上保持基板。由此,对基板上的DSA膜进行热处理。
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公开(公告)号:CN107706117A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710675601.6
申请日:2017-08-09
申请人: 商升特公司
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/02118 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2021/60007 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03912 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2224/95001 , H01L2224/95136 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L23/3107
摘要: 本发明公开了单步封装。一种半导体装置,包括半导体晶片。在半导体晶片之上形成多个柱状凸块。在柱状凸块之上沉积焊料。当半导体晶片在载体上时,在形成柱状凸块之后,将半导体晶片单片化成多个半导体管芯。当半导体管芯保持在载体上时,在半导体管芯和柱状凸块周围沉积密封剂。密封剂覆盖在柱状凸块之间的半导体管芯的有源表面。
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公开(公告)号:CN107257830A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201580065037.5
申请日:2015-11-22
申请人: 霍尼韦尔国际公司
IPC分类号: C09D183/14 , C08G77/50
CPC分类号: C08G77/50 , C08F130/08 , C08K3/36 , C09D143/04 , C09D183/14 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31111
摘要: 包含由至少一种碳硅烷单体和至少一种贡献羰基的单体形成的碳硅烷聚合物的组合物。在一些实施方案中,所述组合物适合作为间隙填充和平坦化材料,并且可任选地包含至少一种发色体用于照相平版应用。
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公开(公告)号:CN107153326A
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201611178550.8
申请日:2016-12-19
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: G03F7/11
CPC分类号: G03F7/70341 , B05D1/60 , B05D3/06 , B05D3/061 , B05D3/068 , G03F7/0042 , G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/167 , G03F7/2004 , G03F7/201 , G03F7/2037 , G03F7/2039 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/70325 , H01L21/02118 , H01L21/02277 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/687 , H01L21/68764
摘要: 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底,在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间,该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合,从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL,从而形成图案化的DEL。
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公开(公告)号:CN107078108A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580060129.4
申请日:2015-11-04
申请人: 捷恩智株式会社
IPC分类号: H01L23/36 , B32B9/00 , C09J129/14 , C09J133/00 , H01L23/373 , H05K7/20
CPC分类号: H01L21/02118 , B32B9/00 , B32B9/007 , C08F16/06 , C08F16/12 , C08F20/04 , C09D131/04 , C09J129/14 , C09J133/08 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L33/64 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本案发明为一种热传导片,其是由多片石墨片所构成,并且热在石墨片间也高效地移动,厚度更厚或面积更大,热传导性优异。本案的热传导片具备:第1石墨片4a;在第1石墨片上整体重叠而配置的第2石墨片、在第1石墨片上局部重叠而错离配置的第2石墨片4a’、或将与第1石墨片的间隔设为小于5mm而并排配置的第2石墨片中的任一第2石墨片;将所配置的第1石墨片与第2石墨片的相向面接着的第1接着层3a;以自上下将所配置的第1石墨片及第2石墨片夹持的方式层叠的金属层2;以及将所配置的第1石墨片及第2石墨片、与金属层2的相向面接着的第2接着层3b。
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公开(公告)号:CN102376589B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201110235542.3
申请日:2011-08-12
申请人: 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号: H01L21/76898 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种用于填充晶片中的空腔(20)的方法,其中,这些空腔(20)是朝着晶片的一个预先确定的表面敞开的,所述方法具有以下步骤:在所述晶片的预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30);在第一温度下烘焙所述晶片;通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡,所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度;通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化,所述第三温度高于所述第二温度。此外,本发明还涉及一种借助这样的方法填充的盲孔(20B)和通常3D空腔以及一种具有硅敷镀通孔的借助于这样的方法填充的绝缘沟槽(20A)的晶片。
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公开(公告)号:CN104812729B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201380059507.8
申请日:2013-06-04
申请人: 第一毛织株式会社
CPC分类号: C07C39/14 , C07C33/26 , C07C39/12 , C07C43/23 , C07C2603/50 , C07C2603/52 , C07C2603/54 , C09D173/00 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/31144
摘要: 本发明涉及硬屏蔽组成物用单体、包含此单体的硬屏蔽组成物及使用此硬屏蔽组成物形成图案的方法。该硬屏蔽组成物用单体以下列化学式1表示,其耐热性及耐蚀刻性与对溶剂的可溶性、间隙填充特征及平坦化特征可被确保。[化学式1]于化学式1,A1至A3、X1至X3、L1、L2、n及m是与说明书中所述的相同。
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