有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法

    公开(公告)号:CN102427061B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201110419047.8

    申请日:2011-12-15

    IPC分类号: H01L21/77

    摘要: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,包括如下步骤:提供一衬底;在衬底上形成TFT;接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极;在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻,形成暴露源极电极或漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层;接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层,对有机平坦化层进行曝光,曝光掩膜为区域透光式掩膜,第一接触孔的位置为全曝光,像素电极区域A为半曝光,其余区域为不曝光;最后,在衬底的整个表面形成像素电极。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺,减少了一次掩膜工艺,可有效降低成本。

    有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法

    公开(公告)号:CN102427061A

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN201110419047.8

    申请日:2011-12-15

    IPC分类号: H01L21/77

    摘要: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,包括如下步骤:提供一衬底;在衬底上形成TFT;接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极;在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻,形成暴露源极电极或漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层;接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层,对有机平坦化层进行曝光,曝光掩膜为区域透光式掩膜,第一接触孔的位置为全曝光,像素电极区域A为半曝光,其余区域为不曝光;最后,在衬底的整个表面形成像素电极。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺,减少了一次掩膜工艺,可有效降低成本。