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公开(公告)号：CN118888671A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410919561.5
申请日：2024-07-10
申请人： 昆山麦沄显示技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种垂直LED芯片结构及制作方法，包括导电衬底；所述导电衬底下设有背面金属层；所述导电衬底上设有键合金属层；所述键合金属层上设有反射键合金属层；所述反射键合金属层上有欧姆接触金属层；所述欧姆接触金属层上设有钝化绝缘层；所述钝化绝缘层上设有外延材料层；所述外延材料层上设有绝缘保护层；所述绝缘保护层上设有金属手指及焊盘电极；本申请利用巨量转移技术和先进封装技术，用mi cro LED芯片制作传统尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊线过程中对芯片无损伤；同时垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解决了现有技术中存在的技术问题，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
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公开(公告)号：CN118471966A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410629522.1
申请日：2024-05-21
申请人： 昆山麦沄显示技术有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01L33/00
摘要： 本申请公开了一种色转换全彩化Mi cro LED芯片及制作方法，包括透明衬底；所述透明衬底之上设有色转换层及环形吸光阻隔层；所述透明衬底、色转换层及环形吸光阻隔层之上设有透明黏附层；所述透明黏附层之上设有Mi cro LED芯片；所述透明黏附层、Mi cro LED芯片之上设有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设有布线线路；所述布线线路、第一绝缘层之上设有第二绝缘层；所述第二绝缘层之上设有焊线电极；本申请通过对Mi cro LED芯片的重新设计和相应的结构布局，并提供相应的制作方法，解决了芯片尺寸过小无法测试导致上屏后形成坏点及返修问题，降低了成本，并解决了色转换中存在的光串扰问题，提升了产品的可靠性，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
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公开(公告)号：CN118899385A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410932751.0
申请日：2024-07-12
申请人： 昆山麦沄显示技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种微显示芯片结构及制作方法，包括基板；在所述基板之上设有布线线路；在所述布线线路之上设有键合层；在所述键合层之上设置有Mi cro LED芯片；所述Mi cro LED芯片被绝缘保护层包覆，且暴露出所述布线线路；在所述布线线路之上设有打线电极，且所述打线电极和布线线路实现金属互联；本申请通过对芯片结构的简化、设计和布局以及提供相应的制作方法，通过RGB三色芯片的简化集成，使得芯片结构更简化，制作成本更低，解决了现有技术中微芯片结构及制作方法复杂，制作成本高的问题，很好的满足了企业生产需求，有利于企业竞争力的提升。
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公开(公告)号：CN118919525A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410971504.1
申请日：2024-07-19
申请人： 昆山麦沄显示技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种集成mi cro IC的像素芯片结构及制作方法，包括透明基板、二次引线、带驱动的mi cro像素器件、二次绝缘保护层和固晶电极；所述透明基板中部设置所述带驱动的mi cro像素器件；且所述透明基板通过二次引线连接所述带驱动的mi cro像素器件；所述带驱动的mi cro像素器件设置在所述二次绝缘保护层内；所述带驱动的mi cro像素器件四周外设有所述固晶电极；所述固晶电极一端与二次引线连接，另一端显露在外；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作方法，利用巨量转移技术和先进封装技术，把mi cro IC和mi cro LED集成封装成一个独立器件，适用于传统的固晶作业方式，很好的解决了现有技术中存在的技术问题，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
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公开(公告)号：CN118299476A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410604728.9
申请日：2024-05-15
申请人： 昆山麦沄显示技术有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62 , H01L21/683
摘要： 本申请公开了一种芯片器件的激光巨量转移方法，包括如下步骤：S 10，准备转移基板；S20，在转移基板一侧涂布键合胶材；S30，将待转移的芯片器件布置于键合胶材上；S40，在芯片器件下方布置承接基板；S50，在转移基板上方施加第一波段激光照射芯片器件，使其处于熔融状态；S60，在转移基板上方再施加第二波段激光照射，使键合胶材分解，芯片器件掉落于承接基板上，完成转移；S70，将带有微芯片的承接基板进一步加热；本申请通过激光加热和激光分解的方式，将巨量排列和巨量键合融合为一步，实现了微芯片直接掉落在金属电极并形成合金的工艺，从而简化了巨量转移的工艺步骤，提升巨量转移的良率和精度，并降低成本，帮助巨量转移工艺更快的成熟和产业化。
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