公开(公告)号：CN114709282A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210088643.0

申请日：2022-01-25

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 李德香 ,  何雯瑾 ,  邓功荣 ,  陈冬琼 ,  吴宇 ,  杨玲 ,  种苏然 ,  宋欣波 ,  龚晓霞 ,  袁俊 ,  黄晖

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述制备方法只需在InAs衬底上生长n型InAsSb层，再通过离子注入或扩散掺杂元素形成p型InAsSb层，即可形成pn结。所述方法简单、可行且成本低，且制备的n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述红外探测器，通过在所述材料的基础上，制备台面，然后生长钝化膜及金属电极制得，比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。

公开(公告)号：CN217306524U

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202220226768.0

申请日：2022-01-25

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 李德香 ,  何雯瑾 ,  邓功荣 ,  陈冬琼 ,  吴宇 ,  杨玲 ,  种苏然 ,  宋欣波 ,  龚晓霞 ,  袁俊 ,  黄晖

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

摘要： 本实用新型涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。采用所述材料的光伏型InAsSb长波红外探测器比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。