公开(公告)号：CN116190485A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211705410.7

申请日：2022-12-29

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 余黎静 ,  唐利斌 ,  田品 ,  郝群 ,  钟和甫 ,  左文彬 ,  雷晓虹 ,  邓功荣 ,  王静宇 ,  黄俊博 ,  冯江敏 ,  袁俊 ,  龚晓霞 ,  施静梅

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0224

摘要： 能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，AZO功能层通过磁控的方法实现，PbS量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明探测器，通过小尺寸的PbS量子点与宽响应波段和高吸收率的Bi2Te3材料结合，所设计的ITO/AZO/PbS CQDs/Bi2Te3/Al的能带排列结构不仅为电荷分离/传输提供了便利，从而提高器件性能。

公开(公告)号：CN102117816B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200910163261.4

申请日：2009-12-30

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 史衍丽 ,  姬荣斌 ,  李凡 ,  何雯瑾 ,  邓功荣 ,  杨瑞宇 ,  康蓉 ,  彭曼泽

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/09 ,  G01J1/42 ,  G01J5/10

摘要： 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下电极三个部分的表面上设计有光敏层，在光敏层上沉积金属上电极。该探测器可用于红外波段和可见光波段。通过实验测试证明：本发明能简化焦平面探测器制造工艺，消除探测器芯片和读出电路两者的材料差异，避免探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变，使单片集成式焦平面探测器的可靠性得到显著改善，并使探测器具有较高的外量子效率。

公开(公告)号：CN115000208B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210447367.2

申请日：2022-04-26

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 唐利斌 ,  宋立媛 ,  郝群 ,  周艳 ,  王微 ,  杨春丽 ,  冯江敏 ,  袁绶章 ,  邓功荣 ,  王善力

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

摘要： 基于碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法，涉及可见至近红外波段的宽光谱光电探测领域，尤其涉及一种基于新型二维半导体材料的高探测率、高响应率的光电探测器及其制备方法。本发明方法采用二维半导体材料碲化锡薄膜为构建异质结的p‑型材料，基底采用锗衬底。采用“一步式”直流溅射法在清洗、预掩膜后的锗基底上，直接溅射碲化锡薄膜以制备碲化锡薄膜/锗异质结。去除掩膜后，热蒸镀金属Al电极以制备光伏探测器原型器件。与现有制备技术相比，本发明制备方法简单高效、低成本，低功耗，实现了可见至近红外波段（400‑1050 nm）的室温工作的碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器的制备。制备工艺高效、简单，室温下器件响应率、探测率高。

公开(公告)号：CN115411133A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210979698.0

申请日：2022-08-16

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 吴刚 ,  唐利斌 ,  邓功荣 ,  袁绶章 ,  郝群 ,  王博 ,  王静宇 ,  魏红 ,  严顺英 ,  谭英 ,  孔金丞

IPC分类号： H01L31/11 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

摘要： 基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n+‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/Au经550℃、氮气氛下退火形成欧姆接触的下电极（n电极），台面上部，在p‑GaN材料上表面沉积金属Al形成肖特基接触的上电极（P电极），器件形成了肖特基（SB）‑PIN复合异质结结构，具有不同于肖特基结构和PIN结构器件的能带结构和光电特性。探测器制备方法包括p‑GaN/AlGaN台面结构的形成、Ti/Al/Ni/Au多层金属电极的沉积和退火、钝化层的沉积和Al/P‑GaN肖特基上电极沉积步骤。本发明探测器可随施加在探测器上偏置电压改变从高速的日盲紫外光伏探测器切换成高量子效率的日盲和可见盲光导模式的新型紫外波段的光电探测器。

公开(公告)号：CN116154029A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211468520.6

申请日：2022-11-22

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 陈冬琼 ,  杨文运 ,  龚晓霞 ,  邓功荣 ,  袁俊 ,  岳彪 ,  白兰艳 ,  施静梅 ,  杨玲 ,  太云见 ,  黄晖

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304

摘要： 本发明涉及一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、缓冲层、n型电极接触层、n型空穴阻挡层、吸收层、p型电子阻挡层和p型电极接触层。所述方法为分子术外延法，在真空度10‑10Torr量级以上的分子束外延设备中进行。本发明通过采用pBiBn结构并对其中的材料进行设计，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料结构，具有3～4.2μm波长，操作性强，还以借鉴成熟InSb和InGaAs等器件工艺，为后续制备出高性能近室温3～4.2μm响应波长InAsSb器件创造很好的条件。

公开(公告)号：CN116130544A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202111350763.5

申请日：2021-11-15

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 赵鹏 ,  邓功荣 ,  杨文运 ,  陈冬琼 ,  李德香 ,  肖婷婷 ,  岳彪 ,  朱琴 ,  施静梅 ,  杨绍培 ,  袁俊 ,  黄晖

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种倒置3μm～4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制备得到。所述材料采用倒置nBn结构，在不增大器件表面漏电流的情况下有效减小器件横向扩散电流，进而降低器件暗电流；所述材料通过设定其中Sb组分的组成，保证吸收波长处于大气窗口的3μm～4.2μm红外中波段；所述材料势垒层采用非故意掺杂AlAs0.08Sb0.92单晶作为材料，构成导带势垒来阻止多数载流子的导电，不存在耗尽区的产生‑复合电流和带间隧穿电流。

公开(公告)号：CN113375905B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110601622.X

申请日：2021-05-31

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 罗志斌 ,  杨帆 ,  蒋砾 ,  邓功荣 ,  张巍 ,  潘超 ,  朱光明 ,  闫哲 ,  刘梦然

IPC分类号： G01M11/00 ,  G01B11/26

摘要： 本发明涉及一种红外光学瞄准具扫描摆镜转角范围及控制稳定性测量方法。步骤包括：1)在转台安装固定扫描器法兰支架，固定法兰支架旋转角度，使用光学标准棱镜对扫描器法兰支架进行零位标定；2)扫描器安装到标定零位后的法兰支架上，扫描器电气接口连接到扫描器测试切断控制盒/测试驱动控制盒，驱动扫描摆镜转动；3)旋转转台来转动扫描器，使激光自准直仪准直对准扫描摆镜；4)读出并记录转台不同位置的旋转角度并计算出扫描摆镜的转动角度，或者观察自准直仪的十字与标准刻线重合程度，评判是否满足产品要求。本发明能够测量得出设计、加工和装调完的扫描器上扫描摆镜转动角度规律，在整机装配前评判组件是否满足要求，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN114823970A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210304039.7

申请日：2022-03-25

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 王海澎 ,  木迎春 ,  李东升 ,  龚晓丹 ,  孔金丞 ,  黄佑文 ,  彭秋思 ,  雷晓虹 ,  周旭昌 ,  邓功荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明公开了一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法。本发明是在超晶格红外焦平面芯片上通过等离子体处理芯片表面，从而增加光刻胶在芯片表面的粘附性，尤其针对较小光刻图形制备时。在超晶格红外焦平面芯片光刻前，首先采用氧等离子体与芯片上残余的有机污染物发生化学反应，生成气态的CO、C02和H20，从而达到去除芯片表面残余有机污染物的目的，其次采用氩等离子体轻微轰击芯片表面，增加芯片表面粗糙度。氧等离子体和氩等离子体先后作用在超晶格红外焦平面芯片上，增加了后续光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性，提高了图形完整性，降低了超晶格红外焦平面探测器盲元率。

公开(公告)号：CN114709282A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210088643.0

申请日：2022-01-25

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 李德香 ,  何雯瑾 ,  邓功荣 ,  陈冬琼 ,  吴宇 ,  杨玲 ,  种苏然 ,  宋欣波 ,  龚晓霞 ,  袁俊 ,  黄晖

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述制备方法只需在InAs衬底上生长n型InAsSb层，再通过离子注入或扩散掺杂元素形成p型InAsSb层，即可形成pn结。所述方法简单、可行且成本低，且制备的n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述红外探测器，通过在所述材料的基础上，制备台面，然后生长钝化膜及金属电极制得，比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。

公开(公告)号：CN102903783A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210405847.9

申请日：2012-10-23

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 史衍丽 ,  余连杰 ,  何雯瑾 ,  邓功荣 ,  李雄军 ,  杨丽丽 ,  姬荣斌

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。该探测器的最佳工作温度在近室温，利用两级半导体制冷即可，降低了红外探测器组件的重量、功耗及制作成本。