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公开(公告)号：CN109971479A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910236880.5
申请日：2019-03-27
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09K11/86
摘要： 本发明公开一种稀土离子掺杂卤氧化铋层状半导体上转换发光材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明光学器件的通式为Bi1‑x‑yEuxYbyOM,其中x=0.01~0.04,0≤x≤0.04，y=0.01~0.20，0.01≤y≤0.20，M为元素F、Cl、Br中的一种。本发明制备稀土离子掺杂卤氧化铋层状半导体发光材料由于其中掺杂的Eu3+离子的发光性能对不同的基质结构，激光功率，温度等超级敏感的响应，并且其在近红外激光的照射下可以很容易实现白光发射，以及该系列卤氧化铋层状半导体材料物理化学性质稳定，合成方法简单易操作、所需的原材料的成本低，因此这种稀土离子掺杂卤氧化铋层状半导体上转换发光材料在白光LED，光伏铁电材料，光机械材料传感材料及光电多功能器件方面具有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN109943336A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910236887.7
申请日：2019-03-27
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09K11/86
摘要： 本发明公开一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明所述半导体材料的通式为Bi0.89Ho0.01Yb0.1NdxOCl，其中X=0~0.03，0≤x≤0.03，其制备方法是将KCl，Nd2O3，Yb2O3，Ho2O3，Bi(NO3)3▪5H2O，去离子水等原材料混合后通过水热法制备得到几种稀土离子掺杂卤氧化铋半导体荧光粉。本发明所述方法制备的卤氧化铋半导体荧光粉物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料的成本低，具有优异的上转换发光性能，并且可以实现颜色可调，在荧光灯，光波导放大器等光学器件领域存在潜在的应用。
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公开(公告)号：CN109943336B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910236887.7
申请日：2019-03-27
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09K11/86
摘要： 本发明公开一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明所述半导体材料的通式为Bi0.89Ho0.01Yb0.1NdxOCl，其中X=0~0.03，0≤x≤0.03，其制备方法是将KCl，Nd2O3，Yb2O3，Ho2O3，Bi(NO3)3▪5H2O，去离子水等原材料混合后通过水热法制备得到几种稀土离子掺杂卤氧化铋半导体荧光粉。本发明所述方法制备的卤氧化铋半导体荧光粉物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料的成本低，具有优异的上转换发光性能，并且可以实现颜色可调，在荧光灯，光波导放大器等光学器件领域存在潜在的应用。
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