公开(公告)号：CN116478686B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310460599.6

申请日：2023-04-26

申请人： 昆明理工大学

发明人： 徐旭辉 ,  王天池 ,  巴怀强 ,  姚淑一

IPC分类号： C09K11/61 ,  C09K11/02 ,  G01T1/202

摘要： 本发明涉及一种钙钛矿闪烁体及在X射线成像闪烁屏中的应用，属于X射线成像技术领域。本发明钙钛矿闪烁体化学式为Cs5Cu3Cl8‑xIx，1≤x≤2。将原料钙钛矿闪烁体Cs5Cu3Cl8‑xIx和PDMS混合，经“压盖法”制备Cs5Cu3Cl8‑xIx闪烁屏，改善闪烁屏在高温下的辐射稳定性，降低闪烁屏的厚度，提高闪烁屏的负载量和均匀程度，以实现在高温环境下进行高质量X射线成像。本发明填补了高温下无法进行X射线成像检测的空白，同时解决现有闪烁体成膜技术中闪烁体薄膜不均匀、辐射发光强度低等缺陷的技术问题。

公开(公告)号：CN116478686A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310460599.6

申请日：2023-04-26

申请人： 昆明理工大学

发明人： 徐旭辉 ,  王天池 ,  巴怀强 ,  姚淑一

IPC分类号： C09K11/61 ,  C09K11/02 ,  G01T1/202

摘要： 本发明涉及一种钙钛矿闪烁体及在X射线成像闪烁屏中的应用，属于X射线成像技术领域。本发明钙钛矿闪烁体化学式为Cs5Cu3Cl8‑xIx，1≤x≤2。将原料钙钛矿闪烁体Cs5Cu3Cl8‑xIx和PDMS混合，经“压盖法”制备Cs5Cu3Cl8‑xIx闪烁屏，改善闪烁屏在高温下的辐射稳定性，降低闪烁屏的厚度，提高闪烁屏的负载量和均匀程度，以实现在高温环境下进行高质量X射线成像。本发明填补了高温下无法进行X射线成像检测的空白，同时解决现有闪烁体成膜技术中闪烁体薄膜不均匀、辐射发光强度低等缺陷的技术问题。