公开(公告)号：CN118895065A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410833126.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 徐旭辉 ,  孙家波 ,  杨李宏 ,  王天池 ,  韩露露 ,  牟德单 ,  宋浩

IPC: C09D11/30 ,  C09D11/02 ,  C09D11/50 ,  G01N23/04 ,  G01N23/201

Abstract: 本发明涉及一种低熔点金属卤化物闪烁体墨水及其制备方法与在定制化X射线成像中的应用，属于X射线成像技术领域。本发明金属卤化物闪烁体墨水的结构通式为AmBXn，所述m、n分别表示在A位和X位晶格位置上的元素所占的化学计量比，1≤m≤2，1≤n≤7；A位为有机基团C16H36N或Bmmim，B位为金属元素Cu、Mn、Sb或Te，X为卤素Cl、Br或I。将金属卤化物闪烁体(C16H36N)mBXn或[Bmmim]mBXn直接熔化后，刷涂或喷涂在待测物体表面完成定制化过程，实现高分辨率X射线成像。本发明低熔点金属卤化物闪烁体墨水，可通过结构设计提高透明度和可加工性，同时降低粘度并优化可刷涂或喷涂性能，有效抑制成像过程中的光散射和光串扰等问题，获得高空间分辨率和低检测限。

公开(公告)号：CN116478686B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310460599.6

申请日：2023-04-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 徐旭辉 ,  王天池 ,  巴怀强 ,  姚淑一

IPC: C09K11/61 ,  C09K11/02 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿闪烁体及在X射线成像闪烁屏中的应用，属于X射线成像技术领域。本发明钙钛矿闪烁体化学式为Cs5Cu3Cl8‑xIx，1≤x≤2。将原料钙钛矿闪烁体Cs5Cu3Cl8‑xIx和PDMS混合，经“压盖法”制备Cs5Cu3Cl8‑xIx闪烁屏，改善闪烁屏在高温下的辐射稳定性，降低闪烁屏的厚度，提高闪烁屏的负载量和均匀程度，以实现在高温环境下进行高质量X射线成像。本发明填补了高温下无法进行X射线成像检测的空白，同时解决现有闪烁体成膜技术中闪烁体薄膜不均匀、辐射发光强度低等缺陷的技术问题。

公开(公告)号：CN116478686A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310460599.6

申请日：2023-04-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 徐旭辉 ,  王天池 ,  巴怀强 ,  姚淑一

IPC: C09K11/61 ,  C09K11/02 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿闪烁体及在X射线成像闪烁屏中的应用，属于X射线成像技术领域。本发明钙钛矿闪烁体化学式为Cs5Cu3Cl8‑xIx，1≤x≤2。将原料钙钛矿闪烁体Cs5Cu3Cl8‑xIx和PDMS混合，经“压盖法”制备Cs5Cu3Cl8‑xIx闪烁屏，改善闪烁屏在高温下的辐射稳定性，降低闪烁屏的厚度，提高闪烁屏的负载量和均匀程度，以实现在高温环境下进行高质量X射线成像。本发明填补了高温下无法进行X射线成像检测的空白，同时解决现有闪烁体成膜技术中闪烁体薄膜不均匀、辐射发光强度低等缺陷的技术问题。