公开(公告)号：CN118047381A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410163680.2

申请日：2024-02-05

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 侯彦青 ,  袁兴平 ,  廖华 ,  赵丹 ,  陈凤阳 ,  郭李杰 ,  吕庆辉 ,  张旗

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及电子级多晶硅生产制备技术领域，公开一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法，该方法包括：加热硅棒的同时通入气相，所述气相包括H2和含有痕量BC l3杂质的Si HCl3；当通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时，控制所述气相升温至400‑600℃；当气相温度升高至设定温度时加快硅棒升温速率，将还原炉温度升高至950‑1200℃，并维持硅棒表面所述气相温度为950‑1200℃；通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时间为100‑105h，总生产时间为110‑120h，全程通入H2。该方法通过三个阶段的温度控制和气体流量控制，实现了对多晶硅生产过程的精确控制，避免了硼杂质的过度引入，同时优化了还原炉的能耗和生产效率。

公开(公告)号：CN118062889A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410140955.0

申请日：2024-02-01

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 侯彦青 ,  廖华 ,  陈凤阳 ,  苟清懿 ,  曾瑞林 ,  刘慧哲 ,  何翠萍

IPC: C01G30/00 ,  B82Y40/00 ,  B01J19/24 ,  B01J4/00 ,  B01J6/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种超声赋能‑微液氧化制备超细氧化锑的方法及系统，其方法包括：(1)将锑源置于液化炉中，升高温度熔化成锑液，所述锑液由熔体泵稳定进入雾化器；(2)在所述锑液流经雾化器管道时，对所述锑液进行超声赋能，赋能后，在雾化器的作用下将所述锑液雾化成微液，随后进入雾化塔中；(3)所述微液从所述加热区进入所述雾化塔，所述微液与流经预热区的高速热风对冲氧化，氧化后的所述微液随所述热风挥发进入冷却区冷却，得到氧化锑，随后进行收尘，得纳米氧化锑。本发明的生产设备简单；产量大、效率高；氧化锑粒度细、分布均匀；球形度好。