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公开(公告)号：CN113073385A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110348420.9
申请日：2021-03-31
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途，硅棒排布呈圆环状排布，圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密，硅棒布置符合工艺参数的要求，且应用该排布方式时降低还原炉造价成本，降低生产能耗，达到减少生产成本的目的；能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上，减小多晶硅还原炉的直径，并降低生产电耗，降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
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公开(公告)号：CN111268682A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010183466.5
申请日：2020-03-16
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
摘要： 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统，制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成，按质量比例STC：TCS＝(20％～50％):(80％～50％)。制备多晶硅的方法包括：以STC和TCS按质量比例混合为原料，并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比，在温度1323-1473K，压强0.1-0.6MPa的制备条件下，进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题，进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析，在硅原料中TCS所占比例为80％～50％，Cl/H为0.04-0.1时，硅产率可达到35％以上。
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公开(公告)号：CN118083986A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410140953.1
申请日：2024-02-01
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本发明提供了一种通过抑制硼沉积量制备电子级多晶硅的方法，包含下列步骤：(1)将三氯氢硅和氢气的混合气体通入西门子反应器中；(2)升高硅棒表面温度，使硅在硅棒表面进行化学气相沉积；(3)硼及剩余硅通过氢气带出后冷却并返回精馏，回收硼与硅，氢气返回反应器。本发明对现行的改良西门子法生产多晶硅工艺进行了调整，通过控制气相化学沉积条件来控制硅和硼的沉积速率，达到对多晶硅中硼含量的控制，可生产不同规格的多晶硅。本发明工艺简单、操作简便，为改良西门子法除硼提供了一种新的途径，可生产符合电子级要求的多晶硅。本发明对工艺流程和设备没变化要求，工艺适用性强，实用性广。
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公开(公告)号：CN114653327A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210301615.2
申请日：2022-03-24
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明属于本发明属于化工生产技术领域，公开一种提高耗氧体系氧传质的方法，配制0.5L浓度为0.1mol/L的亚硫酸钠溶液；升高体系温度到预定温度，用氮气对溶液进行脱气处理；加入有机物载氧介质，在搅拌状态下以1L/min的速度通入O2，反应一段时间；用碘量滴定法测定溶液中剩余Na2SO3含量，用差量法计算出亚硫酸钠转化率。该方法有效提升反应体系氧传质效率，操作方法简单，成本低，并可应用于大部分的气‑液耗氧体系中。本发明利用有机物载氧介质更高的氧溶解度及化学势梯度进行氧传质，减小了气液传质阻力，从而提高耗氧体系的化学反应速率。
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公开(公告)号：CN112158880A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010889132.X
申请日：2020-08-28
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种β‑硫化汞纳米粒子的制备方法，其包括以下步骤：步骤一，将硝酸汞用溶剂溶解得到第一溶液；步骤二，将缓冲剂用溶剂溶解得到第二溶液；步骤三，将分散剂用溶剂溶解得到第三溶液；步骤四，将硫源用溶剂溶解得到第四溶液；步骤五，将第二溶液加入到第一溶液中得到第五溶液；步骤六，将第三溶液加到第五溶液中得到第六溶液；步骤七，将第四溶液滴加到第六溶液中得到第七溶液；步骤八，静置得到第八溶液；步骤九，将第八溶液进行离心处理，将离心产物进行洗涤；步骤十，将洗涤产物干燥后研磨。本发明的优点：无需保护气，反应温度低，无需加热、超声等耗能过程，生产成本低，工艺简单，产物为单晶相，粒径均一，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107140838B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710408564.2
申请日：2017-06-02
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种协同处理黄磷炉渣和铬渣的方法，属于工业固体废弃物资源化利用技术领域。本发明分别将黄磷炉渣和铬渣研磨、过筛，分别得到筛下的黄磷炉渣粉体和铬渣粉体。将黄磷炉渣粉体和铬渣粉体混合均匀得到混合粉体置于反应容器中，在N2或CO气体氛围条件下，加热熔融反应1~3h，之后浇注成型，退火处理得到基础玻璃。在N2或CO气体氛围条件下，将基础玻璃进行核化处理、晶化处理，冷却即得微晶玻璃。本发明制备微晶玻璃原料是工业生产过程中产生的工业固体废物，制备出的微晶玻璃可用作建筑材料，具有废物利用率高、附加值高、毒性浸出率低等特点，可实现黄磷炉渣和铬渣的无害化处理和资源化利用。
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公开(公告)号：CN114700077A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210433021.7
申请日：2022-04-24
申请人： 昆明理工大学 , 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
IPC分类号： B01J23/745 , B01J21/06 , B01J35/10 , B01J37/03 , B01J37/02 , C02F1/30 , C02F101/34
摘要： 本发明涉及一种三氧化二铁掺杂双相二氧化钛催化剂的制备方法及其应用，属于催化剂制备技术领域。首先将三嵌段共聚物置于水溶液中磁力搅拌，然后加入异丙醇钛盐，在温度为90℃下剧烈连续搅拌30‑50min，然后过滤分离得到白色凝胶，用C2H5OH和H2O洗涤，真空干燥，最后煅烧，得到锐钛矿‑板钛矿TiO2；将得到的锐钛矿‑板钛矿TiO2加入C2H5OH，磁力搅拌，然后加入Fe(NO3)3⋅9H2O搅拌，最后加入NaBH4，搅拌混合12h，离心分离得到粉末，用水洗涤后干燥，得到Fe2O3‑双相TiO2催化剂。本发明的使得Fe2O3在表面进行均匀的分布，从而提高催化剂的光催化活性，以及提高降解能力。
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公开(公告)号：CN107140838A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710408564.2
申请日：2017-06-02
申请人： 昆明理工大学
CPC分类号： C03C10/0063 , C03B32/02
摘要： 本发明涉及一种协同处理黄磷炉渣和铬渣的方法，属于工业固体废弃物资源化利用技术领域。本发明分别将黄磷炉渣和铬渣研磨、过筛，分别得到筛下的黄磷炉渣粉体和铬渣粉体。将黄磷炉渣粉体和铬渣粉体混合均匀得到混合粉体置于反应容器中，在N2或CO气体氛围条件下，加热熔融反应1~3h，之后浇注成型，退火处理得到基础玻璃。在N2或CO气体氛围条件下，将基础玻璃进行核化处理、晶化处理，冷却即得微晶玻璃。本发明制备微晶玻璃原料是工业生产过程中产生的工业固体废物，制备出的微晶玻璃可用作建筑材料，具有废物利用率高、附加值高、毒性浸出率低等特点，可实现黄磷炉渣和铬渣的无害化处理和资源化利用。
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公开(公告)号：CN118047381A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410163680.2
申请日：2024-02-05
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本发明涉及电子级多晶硅生产制备技术领域，公开一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法，该方法包括：加热硅棒的同时通入气相，所述气相包括H2和含有痕量BC l3杂质的Si HCl3；当通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时，控制所述气相升温至400‑600℃；当气相温度升高至设定温度时加快硅棒升温速率，将还原炉温度升高至950‑1200℃，并维持硅棒表面所述气相温度为950‑1200℃；通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时间为100‑105h，总生产时间为110‑120h，全程通入H2。该方法通过三个阶段的温度控制和气体流量控制，实现了对多晶硅生产过程的精确控制，避免了硼杂质的过度引入，同时优化了还原炉的能耗和生产效率。
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公开(公告)号：CN112158880B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202010889132.X
申请日：2020-08-28
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种β‑硫化汞纳米粒子的制备方法，其包括以下步骤：步骤一，将硝酸汞用溶剂溶解得到第一溶液；步骤二，将缓冲剂用溶剂溶解得到第二溶液；步骤三，将分散剂用溶剂溶解得到第三溶液；步骤四，将硫源用溶剂溶解得到第四溶液；步骤五，将第二溶液加入到第一溶液中得到第五溶液；步骤六，将第三溶液加到第五溶液中得到第六溶液；步骤七，将第四溶液滴加到第六溶液中得到第七溶液；步骤八，静置得到第八溶液；步骤九，将第八溶液进行离心处理，将离心产物进行洗涤；步骤十，将洗涤产物干燥后研磨。本发明的优点：无需保护气，反应温度低，无需加热、超声等耗能过程，生产成本低，工艺简单，产物为单晶相，粒径均一，易于工业化生产。
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