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公开(公告)号：CN117604526A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311585961.9
申请日：2023-11-24
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C23F1/16 , G01N33/204 , G01N1/32
摘要： 本发明属于金相检验分析技术领域，提供了一种腐蚀剂及其应用以及腐蚀剂在焊材焊缝腐蚀中的应用方法。腐蚀剂包含下列组分：硝酸溶液、甘油和盐酸溶液，体积比为1：0.3～1：1～3。本发明腐蚀剂配制简单，操作方便且具有较高的安全性；用于焊材焊缝腐蚀时，腐蚀时间仅需1～1.5min，腐蚀时间短的同时还具有腐蚀效果显著、均一、稳定、工作量小的优点；使用本发明制备的腐蚀剂腐蚀焊材焊缝，晶界明显，组织清晰，无任何过腐蚀或腐蚀不均匀的现象；本发明提供的腐蚀剂应用广泛，不仅可用于多层堆焊焊材焊缝组织的腐蚀，还可用于激光熔覆、电阻点焊、电阻缝焊、MAG焊、TIG焊等多种焊接方法得到的焊材组织的腐蚀。
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公开(公告)号：CN117004840A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311212323.2
申请日：2023-09-19
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明属于合金技术领域，本发明提供了一种Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带及其制备方法，将铜单质、镍单质和锡单质进行熔炼，得到金属混合液；金属混合液进行浇铸，得到合金铸锭；将合金铸锭顺次进行表面预处理、均匀化退火处理、水淬处理，得到固溶体；将固溶体顺次进行预热处理、热轧，得到轧制合金；将轧制合金顺次进行退火处理、酸洗、冷轧，得到Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带。本发明的方法制备得到的Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带更加均匀，拥有良好的成形性；Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带保持了现有技术中的Cu‑Ni‑Sn合金的弹性、硬度及抗腐蚀性能，同时提高了成形性以推动现阶段的铜加工业发展需要。
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公开(公告)号：CN116306184A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310155509.2
申请日：2023-02-23
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G06F30/25 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种异步轧制中熵合金原子变形方法，涉及材料分析技术领域，可在原子尺度上模拟CrCoNiAl0.014中熵合金室温异步轧制的变形过程。通过对轧制变形过程数据的二次处理，获得不同类型位错的密度变化和位错线的分布特性，揭示了异步轧制变形对中熵合金CrCoNiAl0.014的内部组织在原子尺度上的影响。本发明从原子尺度模拟了不同道次CrCoNiAl0.014中熵合金异步轧制变形，与实验上的数据形成了互补，特别是针对位错与孪晶等缺陷相互作用的动态演变过程提供了新的技术手段；采用LAMMPS中的虚拟衍射和选区电子衍射技术将实验结果与模拟数据相结合，弥补了微观尺度上现有分析检测手段所存在的局限性。
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公开(公告)号：CN116145060A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN115418584B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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公开(公告)号：CN115418584A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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公开(公告)号：CN117003494A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311073633.0
申请日：2023-08-24
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C03C17/34
摘要： 本发明公开一种Ti3O5纳米锥阵列及其制备方法，属于纳米材料技术领域。首先通过水热法反应过程中引入ITO玻璃片，制备了生长在导电面上具有尖锐尖端的TiO2纳米锥阵列，在TiO2纳米锥阵列的基础上，通过在还原性气氛中热处理，使得TiO2转变为具有强LSPR吸收的Ti3O5，同时保留了TiO2具有的纳米锥阵列的三维空间结构。本发明得到Ti3O5纳米锥阵列同时具有LSPR效应和空间阵列结构，通过与NaYF4:Yb‑Er发光层复合，实现了对上转换发光的显著增强。
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公开(公告)号：CN115029596B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210708593.1
申请日：2022-06-22
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C22C23/06 , C22C1/03 , B22D11/20 , B22F1/054 , C21D1/26 , C21D8/02 , C21D9/46 , C22F1/06 , B21B3/00 , H05K1/02
摘要： 本发明公开了一种PCB板级屏蔽罩材料用自组装纳米片层材料及其制备方法，属于复合板材领域。本发明根据Mg‑Zn‑Y合金中LPSO/α‑Mg纳米片层的生长形态与位向特性，以及其“软‑硬”力学特性。通过控制热流方向控制其生长位向，构建多重反射纳米片层结构。同时，引入高剪切应力的异步轧制，增加单位体积内纳米片层数量与界面面积，提升镁合金界面反射损耗，改善镁合金的高频电磁屏蔽性能。使用该方法制备出的材料在30‑6000MHz频段下，电磁屏蔽效能大于60dB，具有优异的全频电磁屏蔽性能。该材料克服了洋白铜、不锈钢等常用PCB板级屏蔽罩材料高频电磁屏蔽性能不足的短板，具有铸造成型性好、可实施性强等特点。
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公开(公告)号：CN117697086A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410116455.3
申请日：2024-01-26
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明提供了一种镁合金板材的表面处理方法，属于金属表面处理技术领域。本发明在待处理镁合金板材反面垫上与成分一致的镁合金垫板，采用钨极氩弧焊以100～150A的焊接电流和10～20mm/s的焊接速度从左到右对板材进行氩弧焊表面处理，能够简单快速的对镁合金板材进行表面处理，有效提高铸态镁合金的力学性能，适用于一般镁合金板材的表面处理，可以有效解决铸态镁合金板材力学性能差的问题。本发明的表面处理方法简单易行，快速高效，后续与机械手臂相结合，可以对大面积的大型镁合金板材进行快速表面处理。
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公开(公告)号：CN116145060B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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