-
公开(公告)号:CN118600233A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410616121.2
申请日:2024-05-17
申请人: 昆明理工大学
摘要: 本发明提供了一种阳极泥低温还原熔炼固砷方法及回收砷的方法。固砷方法包括以下步骤:将阳极泥与碳混合后置于负压惰性气氛下,加热至600℃~700℃后至反应结束,得到含砷的贵铅,其中,贵铅中的砷以金属间化合物的形式存在于贵铅中;阳极泥为铜阳极泥或铅阳极泥。本发明采用低温还原的方式将氧化砷还原且以金属间化合物的形式将砷固定在贵铅中,避免了传统火法处理阳极泥时将As物质全都氧化成As2O3进入烟尘,造成污染环境且产生有毒物质。
-
公开(公告)号:CN118241054A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410341222.3
申请日:2024-03-25
申请人: 昆明理工大学
摘要: 本发明提供了一种基于MIVM模型制备高纯铟的方法,包括:采用MIVM模型结合气液平衡理论计算铟基二元合金在真空蒸馏时气液相中的成分并绘制粗铟中不同杂质元素与铟的气液相平衡图;将不同杂质元素与铟的气液相平衡图结合分析,设置对粗铟依次进行低温真空蒸馏和高温真空蒸馏,得到低温以及高温真空蒸馏适宜的温度;基于得到的低温真空蒸馏适宜的温度,以及高温真空蒸馏适宜的温度对粗铟进行两段真空蒸馏,得纯度达到4N的金属铟;对金属铟进行区域熔炼,得到纯度达到7N以上的金属铟。本发明采用MIVM模型预测多个铟基二元合金的气液平衡数据并进行拟合,能够较为快速并准确的得到提纯粗铟的温度范围,高效环保。
-
公开(公告)号:CN116875821A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202310881228.5
申请日:2023-07-18
申请人: 昆明理工大学
摘要: 本发明提供了一种锑的制备方法及制备装置。锑的制备方法包括:将粗锑置于压力为1Pa~5Pa的真空环境下,从下往上,设置高温段温度为540℃~543℃,第一过渡段温度为475℃~483℃,第二过渡段温度为452℃~460℃,低温段温度为417℃~425℃进行真空蒸馏多级冷凝,得到高纯锑。装置包括真空炉,真空炉包括炉体、冷凝盖、热电偶、冷凝盘、石墨坩埚以及保温棉,其中,石墨坩埚设置在炉体下部,石墨坩埚与炉体之间设置有保温棉,冷凝盖设置在炉体上部,若干个冷凝盘相互交叉设置在石墨坩埚上方,在石墨坩埚的外部以及相邻两冷凝盘之间设置有热电偶。本发明真空蒸馏分级冷凝设计为四段,能够制得纯度为5N的锑。
-
-