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公开(公告)号：CN118516749A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311801024.2
申请日：2023-12-25
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种晶体直径的控制方法、装置以及设备、晶体拉晶生长系统，涉及晶体拉制技术领域，以提供一种减小晶体的提拉速度的波动范围，同时提高晶体质量的技术方案，包括以下步骤：基于所述晶体的当前直径以及所述晶体的目标直径，确定所述晶体的直径一致性差异；基于所述晶体的直径一致性差异，通过控制所述晶体的生长环境参数，对所述晶体的当前直径进行调整，以使所述晶体的当前直径满足所述晶体的目标直径。
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公开(公告)号：CN118461118A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410923972.1
申请日：2024-07-11
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种蓝绿光激光增益介质材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：按化学式(NdxRyCa1‑x‑y)F2+x+y‑2zOz称量原料，其中R为铈、钇或镥离子；x为钕离子占总阳离子的摩尔百分数，x=0.30%~0.55%；y为R离子占总阳离子的摩尔百分数，y=4%~6%；z为氧离子占总阴离子的摩尔百分数，x=z；原料由氟化钙、氧化钕和含R离子的氟化物组成；将原料充分研磨、混合；在保护气氛或真空条件下进行晶体生长，晶体生长完成后缓慢降至室温，得到含氧掺钕氟化钙晶体。本发明显著提高了晶体在0.9微米波段的发射强度和荧光分支比，有利于0.9微米波段激光倍频产生高功率、高效率和超快蓝绿光激光。
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公开(公告)号：CN118390152A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410360358.9
申请日：2024-03-27
申请人： 北京旭灿半导体科技有限公司 , 东旭科技集团有限公司 , 东旭集团有限公司
摘要： 本申请提供一种晶体生长装置。涉及晶体生长技术领域。晶体生长装置包括：坩埚；坩埚盖，坩埚盖盖设在坩埚上方；多个隔热片，多个隔热片同心设置，且层叠设置在坩埚盖上方，每个隔热片的中心均具有开孔，多个隔热片的开孔直径从远离坩埚盖至靠近坩埚盖沿轴向依次减小，以形成阶梯状结构。从而使得籽晶在生长过程中不需要因为旋转以及提拉就能够使得晶体生长温度均匀，进而能够避免籽晶因旋转和提拉而产生的螺旋，使得晶体能够长大，从而提高晶体的质量。
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公开(公告)号：CN118127610B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410538221.8
申请日：2024-04-30
申请人： 西安聚能超导磁体科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种晶体预热系统及晶体预热方法，涉及晶体制造技术领域，其中晶体预热系统包括：超导磁体；装料筒，设置在超导磁体的外部一侧；加热芯，设置在装料筒内部，加热芯为金属材质，装料筒和加热芯之间的空间用于放置待预热的晶体；旋转主机，与加热芯连接，旋转主机驱动加热芯转动，加热芯在超导磁体的磁场作用下产生热量，进而对晶体进行加热。本申请采用超导磁体生产时外部的磁场对晶体进行预热，使晶体能够在拉晶生产的同时进行预热，大大缩短了单晶炉加热晶体的时间，而且提高了生产的效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN116926669B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210337194.9
申请日：2022-03-31
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺。该制备模具包括：第一模板以及第二模板；第一模板与第二模板相对设置，第一模板的第一表面与第二模板的第二表面位置相对，第一表面与第二表面之间具有间隙，第一表面与第二表面均为弧面，且第一表面的弯曲方向与第二表面的弯曲方向相同，第一模板与第二模板可拆卸连接；第一模板的一端在间隙的出口处具有第一晶体成型面，第二模板的一端在间隙的出口处具有第二晶体成型面，第一晶体成型面与第二晶体成型面位置相对。
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公开(公告)号：CN118087042A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410166681.2
申请日：2024-02-05
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本申请公开了一种镝离子掺杂铝酸钆镧锶黄光激光晶体及其制备方法与应用，属于激光晶体材料领域。所述镝离子掺杂铝酸钆镧锶黄光激光晶体，其分子式为Dy2xLa2yGd2‑2x‑2ySrAl2O7，其中，0
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公开(公告)号：CN118087028A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410245802.2
申请日：2024-03-05
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法，包括：液封剂脱水；多晶料的清洗；多晶料与液封剂的装炉；洗气与熔化原料；引晶与放肩；晶体等径生长；晶体收尾与退火冷却。本发明专利中通过采用锑化镓多晶作为长晶原料、加液封剂和通入还原气体的方法可以有效解决镓被氧化形成Ga2O3残渣和锑升华导致锑和镓严重偏离1：1的化学计量比的问题。同时利用本专利的方法可以有效的控制长出晶体的尺寸和质量，实现大尺寸高质量的锑化镓单晶生长。
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公开(公告)号：CN116926670B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310857993.3
申请日：2023-07-12
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 林育仪
摘要： 本申请公开了一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅，涉及半导体领域。用液相法制备碳化硅的方法包括：将原料装入石墨坩埚，石墨坩埚的内表面包括沿径向从外向内延伸的曲线壁面，曲线壁面的母线为最速下降曲线；加热原料以得到原料熔体；将籽晶与原料熔体接触，并在惰性气体和氮气的混合气体中进行碳化硅晶体的生长。通过设置曲线壁面的母线为最速下降曲线，能够增强原料熔体从边缘向中心流动的流速，在石墨坩埚中部形成较强的上升流股，加强原料熔体中心的对流强度。这样可以避免晶体生长过程中，中部位置的熔体对流明显弱于边缘位置的问题，从而提高碳化硅晶体的均匀性。
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公开(公告)号：CN116200823B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211576792.8
申请日：2022-12-09
申请人： 奕瑞新材料科技(太仓)有限公司
摘要： 本发明属于单晶生长技术领域，具体涉及一种晶体生长装置及碘化铯晶体生长方法。晶体生长装置具有炉壳，在炉壳内填充有隔热材料，在隔热材料中央形成炉腔；炉腔内具有可视炉管，可视炉管顶部加盖密封件，密封件上具有换气阀用以调节可视炉管内的气氛；在可视炉管外周环绕布置有上部加热器件、下部加热器件；在可视炉管内放置坩埚，在坩埚内布置有生长模具，生长模具内具有竖向贯通的中间缝隙，生长模具上表面具有与中间缝隙连通的V形槽口；籽晶杆滑动密封地穿过密封件，籽晶杆竖向正对生长模具的V形槽口，籽晶杆下端可固定用以引导晶体生长的籽晶。本发明能够在大梯度温度热场内快速结晶，实现碘化铯晶体的快速生长，且晶体质量高。
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