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公开(公告)号：CN102268582A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110188833.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的铝基屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铝基合金AlMgPb(Mg15%～30%，Pb15%～35%，余量为铝，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铝基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统铝基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的铝基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb-B聚乙烯和Pb-B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN102260812B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201110188443.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的镁基屏蔽材料，特别是轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为镁基合金MgPbAl(Pb 20%～45%，Al 5%～20%，余量为Mg，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：镁基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统镁基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的镁基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb‑B聚乙烯和Pb‑B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN102268582B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201110188833.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的铝基屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铝基合金AlMgPb (Mg 15%～30%，Pb 15%～35%，余量为铝，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铝基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统铝基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的铝基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb‑B聚乙烯和Pb‑B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN102260813A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110188494.7
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的金属基(铅基)屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铅基合金PbMgAl(Mg10%～50%，Al2%～10%，余量为Pb，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铅基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统Pb基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的铅-镁-铝-硼或硼化物金属基复合材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb与B或B4C复合屏蔽材料，同时制造成本更低廉。
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公开(公告)号：CN102260812A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110188443.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的镁基屏蔽材料，特别是轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为镁基合金MgPbAl(Pb20%～45%，Al5%～20%，余量为Mg，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：镁基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统镁基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的镁基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb-B聚乙烯和Pb-B4C复合屏蔽材料。
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