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公开(公告)号：CN102260813A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110188494.7
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的金属基(铅基)屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铅基合金PbMgAl(Mg10%～50%，Al2%～10%，余量为Pb，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铅基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统Pb基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的铅-镁-铝-硼或硼化物金属基复合材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb与B或B4C复合屏蔽材料，同时制造成本更低廉。
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公开(公告)号：CN102260812A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110188443.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的镁基屏蔽材料，特别是轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为镁基合金MgPbAl(Pb20%～45%，Al5%～20%，余量为Mg，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：镁基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统镁基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的镁基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb-B聚乙烯和Pb-B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN101476054B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910094010.5
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
IPC: C22C1/02
Abstract: 高强度低熔点合金及其制备方法。本发明属于制造巴氏轴瓦合金及低熔点合金模用的一种复合材料及其制备技术。本发明是先将熔点较高的第二组元金属熔化，再加入低熔点金属，在搅拌下进行原位反应，使低熔点金属与第二组元金属生成以金属键与共价键的混合键结合的金属间化合物。采用本技术制备的合金材料其力学性能(抗拉强度和硬度)有强烈提升，具备真正意义上的超高强度的特点。
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公开(公告)号：CN102268582A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110188833.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的铝基屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铝基合金AlMgPb(Mg15%～30%，Pb15%～35%，余量为铝，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铝基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统铝基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的铝基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb-B聚乙烯和Pb-B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN101476057B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910094011.X
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 高强度铅合金及其制备方法。本发明属于核能开发中所用的一种核屏蔽复合材料及其制备技术。本发明是先将第二组元金属熔化，再加入金属铅，在搅拌下进行原位反应，使金属铅与第二组元金属生成以金属键与共价键的混合键结合的金属间化合物。利用铅与第二组元反应生成的金属间化合物作为合金的基体，利用金属间化合物优良的高强度特性，以实现铅合金的强度大幅度提高。采用本技术制备的超高强度铅合金在保持对γ射线、X射线良好屏蔽特性的同时具有足够的力学承载能力，使该材料兼有屏蔽功能/结构一体化的特点，有望进一步提高核屏蔽材料的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101476057A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910094011.X
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 高强度铅合金及其制备方法。本发明属于核能开发中所用的一种核屏蔽复合材料及其制备技术。本发明是先将第二组元金属熔化，再加入金属铅，在搅拌下进行原位反应，使金属铅与第二组元金属生成以金属键与共价键的混合键结合的金属间化合物。利用铅与第二组元反应生成的金属间化合物作为合金的基体，利用金属间化合物优良的高强度特性，以实现铅合金的强度大幅度提高。采用本技术制备的超高强度铅合金在保持对γ射线、X射线良好屏蔽特性的同时具有足够的力学承载能力，使该材料兼有屏蔽功能/结构一体化的特点，有望进一步提高核屏蔽材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN101476054A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910094010.5
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
IPC: C22C1/02
Abstract: 高强度低熔点合金及其制备方法。本发明属于制造巴氏轴瓦合金及低熔点合金模用的一种复合材料及其制备技术。本发明是先将熔点较高的第二组元金属熔化，再加入低熔点金属，在搅拌下进行原位反应，使低熔点金属与第二组元金属生成以金属键与共价键的混合键结合的金属间化合物。采用本技术制备的合金材料其力学性能(抗拉强度和硬度)有强烈提升，具备真正意义上的超高强度的特点。
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公开(公告)号：CN102260812B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201110188443.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的镁基屏蔽材料，特别是轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为镁基合金MgPbAl(Pb 20%～45%，Al 5%～20%，余量为Mg，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：镁基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统镁基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的镁基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb‑B聚乙烯和Pb‑B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN102268582B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201110188833.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的铝基屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铝基合金AlMgPb (Mg 15%～30%，Pb 15%～35%，余量为铝，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铝基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统铝基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的铝基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb‑B聚乙烯和Pb‑B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN102734084A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210212757.8
申请日：2012-06-26
Applicant: 昆明理工峰潮科技有限公司
IPC: F03D11/00
CPC classification number: Y02E10/721
Abstract: 一种分段式风力发电机叶片。本发明涉及一种风力发电机叶片，尤其是大型风力发电机的分段叶片，属于风电设备部件。本风力发电机的叶片沿长度方向分割成两段以上，叶片各段相接端面内包埋有连接筒和连接棒，与连接筒和连接棒相对应一侧的叶片段端面内设置有镶嵌孔，镶嵌孔中和叶片相接端面的缝隙中填充有粘接剂。各连接部位通过强力树脂粘结，再通过二次真空灌注方法或手糊强力树脂的方法将分段处位置补强，实现分段部位连续渡。本发明其结构简单，具有分段运输、气动外形好、较同翼型非分段叶片重量增加小、安全系数高等特点。
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