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公开(公告)号：CN104818388B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510225619.7
申请日：2015-05-06
申请人： 昆明鼎邦科技股份有限公司 , 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法。将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒，将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内，控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间，使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离的目的。通过真空还原蒸馏分离可得到含锡大于98wt.%、含铟小于0.5wt.%的粗锡合金及含铟大于99wt.%、含锡小于0.2wt.%的粗铟合金。真空蒸馏得到的粗铟合金和粗锡合金可直接电解，得到精铟和精锡。金属直收率可达99%。
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公开(公告)号：CN113003548B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110358939.5
申请日：2021-04-02
申请人： 昆明鼎邦科技股份有限公司
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明涉及一种除去粗硒中碲制备高纯硒的方法，包括：将粗硒加入自制的密闭反应器内，排出空气后通入氧化性气体，保持一定正压，密闭反应器不断旋转，使粗硒中的碲在氧化性气氛中充分氧化，得到初级产品，所述初级产物进行真空蒸馏处理，使所述粗硒中的硒挥发，碲氧化物不挥发，从而回收得到含碲低的高纯硒产品。本发明通过反应装置，将粗硒中的碲氧化，使碲的形态发生改变；利用形态改变的碲氧化物与硒在真空状态下性质的差异，通过真空蒸馏将碲从硒中脱除，降低硒中碲的含量，能够得到碲含量低于10ppm的硒产品。本发明解决了现有技术中容易产生有害气体或者产生大量废水等污染环境的问题，具有工艺简单、环保高效、产品硒纯度高等优点。
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公开(公告)号：CN114350967A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111593956.3
申请日：2021-12-23
申请人： 昆明鼎邦科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及冶金技术领域，提供了一种铅真空恒温蒸馏除杂的方法。利用铅中各元素在真空状态下沸点的差异，通过精准控制蒸馏温度，抑制铅的挥发，以提高铅的直收率。同时为使沸点低于铅的杂质元素高效挥发，在蒸馏时采用搅拌装置对原料进行搅拌，加速蒸发面与内部的物质交换，加强原料内部热量交换，保持内部温度场均匀，以提高杂质挥发效率和产品成分的一致性。该方法可使产品直收率可达98％以上，进入挥发物组分的比例小于2％。其中低沸点杂质主要为Se、Te、As、Sb、Tl、Cd等，可达到5N铅标准。
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公开(公告)号：CN114350967B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111593956.3
申请日：2021-12-23
申请人： 昆明鼎邦科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及冶金技术领域，提供了一种铅真空恒温蒸馏除杂的方法。利用铅中各元素在真空状态下沸点的差异，通过精准控制蒸馏温度，抑制铅的挥发，以提高铅的直收率。同时为使沸点低于铅的杂质元素高效挥发，在蒸馏时采用搅拌装置对原料进行搅拌，加速蒸发面与内部的物质交换，加强原料内部热量交换，保持内部温度场均匀，以提高杂质挥发效率和产品成分的一致性。该方法可使产品直收率可达98％以上，进入挥发物组分的比例小于2％。其中低沸点杂质主要为Se、Te、As、Sb、Tl、Cd等，可达到5N铅标准。
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公开(公告)号：CN105969997B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610599648.4
申请日：2016-07-27
申请人： 昆明鼎邦科技股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 高沸点合金间断式真空蒸馏分离炉，包括设在炉内的真空蒸馏分离套件(1)、坩埚(3)、平板式石墨发热体(2)、电极(4)和密封炉壳(5)、起导通作用的发热体连接座(11)、支撑环(10)；冷凝器套件(6)和保温罩(7)；本发明的有益效果是：以真空蒸馏的方式实现包括贵金属在内的多元高沸点合金的真空蒸馏分离；分馏斜盘和平盘组合使用，分馏斜盘使不纯金属蒸气回流，反复蒸馏从而增加蒸气纯度；分馏平盘在收集冷凝得到的挥发物的同时也让蒸气不断分馏冷凝；分馏盘交错安装有利于蒸气的冷凝与挥发物的纯度保证；通过改变保温罩的高度或厚度调节冷凝套件的温度，形成温度梯度，可选择性的冷凝金属气体，得到多个冷凝产物。
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公开(公告)号：CN113003548A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110358939.5
申请日：2021-04-02
申请人： 昆明鼎邦科技股份有限公司
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明涉及一种除去粗硒中碲制备高纯硒的方法，包括：将粗硒加入自制的密闭反应器内，排出空气后通入氧化性气体，保持一定正压，密闭反应器不断旋转，使粗硒中的碲在氧化性气氛中充分氧化，得到初级产品，所述初级产物进行真空蒸馏处理，使所述粗硒中的硒挥发，碲氧化物不挥发，从而回收得到含碲低的高纯硒产品。本发明通过反应装置，将粗硒中的碲氧化，使碲的形态发生改变；利用形态改变的碲氧化物与硒在真空状态下性质的差异，通过真空蒸馏将碲从硒中脱除，降低硒中碲的含量，能够得到碲含量低于10ppm的硒产品。本发明解决了现有技术中容易产生有害气体或者产生大量废水等污染环境的问题，具有工艺简单、环保高效、产品硒纯度高等优点。
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公开(公告)号：CN104651625A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510059683.2
申请日：2015-02-05
申请人： 昆明理工大学 , 昆明鼎邦科技有限公司
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明涉及一种含锑粗锡合金真空蒸馏脱除锑铅砷的方法，属于有色金属真空冶金技术领域。首先将脱除铜、铁及部分砷的含锑粗锡合金熔化得到含锑粗锡合金液体；采用恒流进料方法将得到的含锑粗锡合金液体连续均匀的送入连续式真空炉进行真空蒸馏，得到残留物精锡及蒸馏物锡铅锑合金；将得到的锡铅锑合金熔化得到锡铅锑合金液体，采用恒流进料方法将锡铅锑合金液体连续均匀的送入连续式真空炉进行真空蒸馏，得到残留物粗锡及进入冷凝器内的锡铅锑金属蒸气，根据锡铅锑金属蒸气中锡蒸气的浓度，通过控制冷凝器温度及冷凝段数得到锡铅锑合金及铅锑合金。本方法操作简单，环境友好，生产效率高，生产成本低，锡回收率高。
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公开(公告)号：CN104818388A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510225619.7
申请日：2015-05-06
申请人： 昆明鼎邦科技有限公司 , 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法。将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒，将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内，控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间，使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离的目的。通过真空还原蒸馏分离可得到含锡大于98wt.%、含铟小于0.5wt.%的粗锡合金及含铟大于99wt.%、含锡小于0.2wt.%的粗铟合金。真空蒸馏得到的粗铟合金和粗锡合金可直接电解，得到精铟和精锡。金属直收率可达99%。
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