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公开(公告)号：CN109195909A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032828.7
申请日：2017-05-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B35/06
Abstract: 本发明的课题是提供一种三氯化硼的制造方法，该方法通过充分除去反应体系内的水分来抑制水分造成的副产物的生成，高效制造三氯化硼。为此本发明的三氯化硼的制造方法，包含以下的脱水工序和生成工序，脱水工序：在比通过碳化硼和氯气之间的反应而开始生成三氯化硼的生成开始温度低的温度下，使含有氯气并且水分含量为1体积ppm以下的含氯气体与碳化硼接触，从而使所述碳化硼中含有的水分与所述含氯气体中的氯气反应、除去所述碳化硼中含有的水分；生成工序：将经所述脱水工序被脱水了的所述碳化硼与氯气反应而生成三氯化硼。
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公开(公告)号：CN109195909B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201780032828.7
申请日：2017-05-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B35/06
Abstract: 本发明的课题是提供一种三氯化硼的制造方法，该方法通过充分除去反应体系内的水分来抑制水分造成的副产物的生成，高效制造三氯化硼。为此本发明的三氯化硼的制造方法，包含以下的脱水工序和生成工序，脱水工序：在比通过碳化硼和氯气之间的反应而开始生成三氯化硼的生成开始温度低的温度下，使含有氯气并且水分含量为1体积ppm以下的含氯气体与碳化硼接触，从而使所述碳化硼中含有的水分与所述含氯气体中的氯气反应、除去所述碳化硼中含有的水分；生成工序：将经所述脱水工序被脱水了的所述碳化硼与氯气反应而生成三氯化硼。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108541278A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201680076085.9
申请日：2016-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种SiC单晶生长炉的清理方法，是使用气体对SiC单晶生长炉进行清理的方法，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的腔室内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为85％以上且100％以下，在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体和空气中的至少一方与氟气的混合气体，所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为200℃以上且500℃以下。
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公开(公告)号：CN108541278B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201680076085.9
申请日：2016-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种SiC单晶生长炉的清理方法，是使用气体对SiC单晶生长炉进行清理的方法，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的腔室内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为85％以上且100％以下，在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体和空气中的至少一方与氟气的混合气体，所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为200℃以上且500℃以下。
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公开(公告)号：CN112313175A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980043129.1
申请日：2019-06-04
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B35/06
Abstract: 提供一种三氯化硼的制造方法，该制造方法能够以简易的制造工序制造高纯度的三氯化硼，并且难以发生制造管路的堵塞。一种三氯化硼的制造方法，具备：金属氯化工序，使含有氯气的气体与作为杂质含有硼以外的金属的碳化硼即原料碳化硼接触，并使含有氯气的气体中的氯气与金属反应而形成为金属氯化物，得到含有金属氯化物的碳化硼；除去工序，从在金属氯化工序中得到的含有金属氯化物的碳化硼中除去金属氯化物；以及，生成工序，使含有氯气的气体与在除去工序中除去了金属氯化物的碳化硼接触，并使碳化硼和含有氯气的气体中的氯气反应而生成三氯化硼。
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