公开(公告)号：CN107848798B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201680041777.X

申请日：2016-07-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐

IPC: C01B7/01 ,  C25B1/04 ,  C25B1/26

Abstract: 本发明提供能够以简便的设备高效制造氯化氢的氯化氢制造方法，包括以下工序：将pH值为3以上5以下的无机氯化物水溶液电解而获得氯气和氢气的电解工序，使所述电解工序得到的氯气和氢气、以氢气相对于氯气的摩尔比为过剩量在1000℃以上1500℃以下反应而获得粗氯化氢的反应工序，将所述反应工序得到的粗氯化氢脱水的脱水工序，以及将所述脱水工序得到的、被脱水了的粗氯化氢压缩从而液化，并且将该液状的粗氯化氢通过蒸馏进行纯化的蒸馏工序。

公开(公告)号：CN107848799B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201680041774.6

申请日：2016-07-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐

IPC: C01B7/07

Abstract: 本发明的提供能够以简便的设备高效制造氯化氢的氯化氢制造方法，包括以下工序：使浓度为20质量％以上50质量％以下的盐酸与惰性气体进行气液接触的气液接触工序，将经气液接触工序与惰性气体进行了气液接触的盐酸蒸馏，从而从盐酸分离出氯化氢、获得粗氯化氢的分离工序，将经分离工序得到的粗氯化氢脱水的脱水工序，以及将经脱水工序得到的、被脱水了的粗氯化氢压缩，使其液化，并且将该液状的粗氯化氢通过蒸馏进行纯化的纯化工序。

公开(公告)号：CN113906155A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080039352.1

申请日：2020-11-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/30

Abstract: 提供能够不用将腔室拆卸就除去在腔室的内表面或与腔室连接的配管的内表面上附着的含硒附着物的附着物除去方法和成膜方法。通过使在腔室(10)的内表面和与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者上附着的含硒附着物，与含有含氟化合物气体的清洁气体反应，来除去含硒附着物。

公开(公告)号：CN113261082A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980085436.6

申请日：2019-12-10

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐 ,  长田师门

IPC: H01L21/314

Abstract: 提供能够在不拆解腔室的状态下将附着在腔室的内表面或者与腔室连接的配管的内表面的含硫的附着物除去的附着物除去方法和成膜方法。使附着在腔室(10)的内表面以及与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者的含硫的附着物，与含有含氧化合物气体的清洁气体反应，由此将该附着物除去。

公开(公告)号：CN113874547A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080039011.4

申请日：2020-11-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐

IPC: C23C16/44

Abstract: 提供附着物除去方法及成膜方法，能够将附着于腔室的内表面或连接于腔室的配管的内表面的含有硒的附着物以不将腔室拆开的方式进行除去。通过使附着于腔室(10)的内表面及连接于腔室(10)的排气用配管(15)的内表面中的至少一方的含有硒的附着物与含有含氢化合物气体的清洁气体进行反应来除去该附着物。

公开(公告)号：CN113228235A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980083535.0

申请日：2019-12-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐 ,  长田师门

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 提供能够在不拆解腔室的状态下将附着在腔室的内表面或者与腔室连接的配管的内表面的含硫的附着物除去的附着物除去方法和成膜方法。使附着在腔室(10)的内表面以及与腔室(10)连接的排气用配管(15)的内表面中的至少一者的含硫的附着物，与含有含氢化合物气体的清洁气体反应，由此将该附着物除去。

公开(公告)号：CN111213224A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880066209.4

申请日：2018-10-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供可以将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为同等程度、并且即使为高深宽比的孔也可以以高蚀刻速度形成为良好形状的蚀刻方法。通过含有化学式C2HxF(3-x)Br所示的不饱和卤代烃的蚀刻气体，对具备包含被层叠的硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)的层叠膜(5)的被处理体进行处理，所述化学式中的x为0、1或2。这样，硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)以同等程度的蚀刻速度被进行蚀刻。

公开(公告)号：CN108290734B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201680069360.4

申请日：2016-12-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐 ,  星野恭之

IPC: C01B7/01 ,  F17C3/12

Abstract: 本发明提供不容易使金属腐蚀的氯化氢混合物。氯化氢混合物含有氯化氢和水。而且，氯化氢混合物以至少一部分为液体的方式填充于填充容器内，气相的水分浓度为0.001摩尔ppm以上且小于4.5摩尔ppm。

公开(公告)号：CN109311667B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201780034818.7

申请日：2017-05-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐 ,  星野恭之

IPC: C01B17/16 ,  F17C1/00

Abstract: 本发明提供难以使金属腐蚀的硫化氢混合物。一种硫化氢混合物，含有硫化氢和水，以至少一部分成为液体的方式被填充在填充容器内，气相中的水分浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。

公开(公告)号：CN108541278A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201680076085.9

申请日：2016-12-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐 ,  栗原秀行

IPC: C30B29/36 ,  C23C14/00 ,  C23C16/44

Abstract: 一种SiC单晶生长炉的清理方法，是使用气体对SiC单晶生长炉进行清理的方法，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的腔室内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为85％以上且100％以下，在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体和空气中的至少一方与氟气的混合气体，所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为200℃以上且500℃以下。