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公开(公告)号：CN101273467A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035564.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 浦岛泰人
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/38
Abstract: 本发明的一个目的是通过具有高吞吐量的激光加工方法作为器件形状的加工方法，并且通过蚀刻作为在激光加工之后的处理，防止器件特性的劣化且提高器件的生产成品率。本发明涉及一种氮化物半导体发光器件的制造方法，所述氮化物半导体发光器件包括衬底、在所述衬底上的氮化物半导体层和在所述氮化物半导体上的电极，所述氮化物半导体发光器件的制造方法的特征在于通过激光进行的器件加工，随后是蚀刻处理，然后是电极的形成。
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公开(公告)号：CN100524624C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580002399.6
申请日：2005-01-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 浦岛泰人
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有平滑表面且呈现优良结晶度的III族氮化物半导体多层结构，所述多层结构采用可容易加工的低成本衬底。另一个目的是提供一种包括所述多层结构的III族氮化物半导体发光器件。本发明的III族氮化物半导体多层结构包括：衬底；AlxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层，设置在所述衬底上且具有柱状或岛状晶体结构；以及AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)单晶层，设置在所述缓冲层上，其中所述衬底在其表面上具有平均深度为0.01至5μm的非周期分布的沟槽。
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公开(公告)号：CN101273467B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200680035564.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 浦岛泰人
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/38
Abstract: 本发明的一个目的是通过具有高吞吐量的激光加工方法作为器件形状的加工方法，并且通过蚀刻作为在激光加工之后的处理，防止器件特性的劣化且提高器件的生产成品率。本发明涉及一种氮化物半导体发光器件的制造方法，所述氮化物半导体发光器件包括衬底、在所述衬底上的氮化物半导体层和在所述氮化物半导体上的电极，所述氮化物半导体发光器件的制造方法的特征在于通过激光进行的器件加工，随后是蚀刻处理，然后是电极的形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1618116A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN01802460.2
申请日：2001-08-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。
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公开(公告)号：CN100573938C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200680007596.1
申请日：2006-02-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 浦岛泰人
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，其包括衬底、在其中并入第一导电半导体层、发光层和第二导电半导体层的氮化物半导体层、邻接所述第二导电半导体层的第一表面的至少一部分的透明电极，以及邻接所述第一导电半导体层的第二电极，其中所述衬底具有其第一表面，所述第一表面具有通过去除在所述器件的周边部分中的所述氮化物半导体层的第一部分而暴露的第一区域和通过去除除了所述器件的所述周边部分之外的邻接所述透明电极的所述氮化物半导体层的至少第二部分直到衬底而暴露的第二区域。一种用于制造所述器件的方法，其包括去除在所述器件的周边部分中的所述氮化物半导体层的第一部分直到所述衬底被暴露以形成其第一暴露的区域，以及去除除了所述器件的所述周边部分之外的邻接所述透明电极的所述氮化物半导体层的至少第二部分直到到达所述衬底以形成其第二暴露的区域，其中通过结合使用激光的去除与使用湿法蚀刻的去除进行所述各步骤。
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公开(公告)号：CN101138105A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007596.1
申请日：2006-02-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 浦岛泰人
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，其包括衬底、在其中并入第一导电半导体层、发光层和第二导电半导体层的氮化物半导体层、邻接所述第二导电半导体层的第一表面的至少一部分的透明电极，以及邻接所述第一导电半导体层的第二电极，其中所述衬底具有其第一表面，所述第一表面具有通过去除在所述器件的周边部分中的所述氮化物半导体层的第一部分而暴露的第一区域和通过去除除了所述器件的所述周边部分之外的邻接所述透明电极的所述氮化物半导体层的至少第二部分直到衬底而暴露的第二区域。一种用于制造所述器件的方法，其包括去除在所述器件的周边部分中的所述氮化物半导体层的第一部分直到所述衬底被暴露以形成其第一暴露的区域，以及去除除了所述器件的所述周边部分之外的邻接所述透明电极的所述氮化物半导体层的至少第二部分直到到达所述衬底以形成其第二暴露的区域，其中通过结合使用激光的去除与使用湿法蚀刻的去除进行所述各步骤。
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公开(公告)号：CN100341115C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN01802460.2
申请日：2001-08-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。
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公开(公告)号：CN1910738A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002399.6
申请日：2005-01-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 浦岛泰人
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有平滑表面且呈现优良结晶度的III族氮化物半导体多层结构，所述多层结构采用可容易加工的低成本衬底。另一个目的是提供一种包括所述多层结构的III族氮化物半导体发光器件。本发明的III族氮化物半导体多层结构包括：衬底；AlxGa1－xN(0≤x≤1)缓冲层，设置在所述衬底上且具有柱状或岛状晶体结构；以及AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)单晶层，设置在所述缓冲层上，其中所述衬底在其表面上具有平均深度为0.01至5μm的非周期分布的沟槽。
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