公开(公告)号：CN1276259A

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN00118178.5

申请日：2000-04-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 跡边仁志 ,  金子虎一 ,  早坂裕二 ,  矢野慎一

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/86 ,  B01J21/16 ,  B01J23/02

CPC classification number: Y02C20/30

Abstract: 用于分解氟化合物的反应剂,包含矾土和一种碱土金属化合物;用于分解氟化合物的方法,包括使该反应剂与氟化合物在200℃或以上的温度下接触;和用于制造半导体器件的方法,包括刻蚀或清洗和使用该反应剂所进行的分解。

公开(公告)号：CN1174811A

公开(公告)日：1998-03-04

申请号：CN97117149.1

申请日：1997-07-04

Applicant: 同和矿业株式会社 ,  同和铁粉工业株式会社 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 泉川千秋 ,  手和正 ,  伊藤和人 ,  迹边仁志 ,  金子虎一

IPC: C01B7/19 ,  B01D53/34

CPC classification number: B01D53/70 ,  Y02C20/30 ,  Y10S588/90 ,  Y10S588/901

Abstract: 包括全氟碳和氢氟碳在内的碳氟化合物通过在升高的温度下与包括碳和碱土金属的试剂或包括碳、碱土金属和碱金属的试剂接触而高效分解,分解后的卤素固定到该试剂上。

公开(公告)号：CN1195573C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN00118178.5

申请日：2000-04-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 跡边仁志 ,  金子虎一 ,  早坂裕二 ,  矢野慎一

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/86 ,  B01J21/16 ,  B01J23/02

CPC classification number: Y02C20/30

Abstract: 用于分解氟化合物的反应剂，包含矾土和一种碱土金属化合物；用于分解氟化合物的方法，包括使该反应剂与氟化合物在200℃或以上的温度下接触；和用于制造半导体器件的方法，包括刻蚀或清洗和使用该反应剂所进行的分解。

公开(公告)号：CN100478276C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN02813984.4

申请日：2002-07-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 跡辺仁志 ,  冈正和 ,  金子虎一

IPC: C01B33/107 ,  B01D53/22 ,  H01L31/20 ,  H01L21/205 ,  C03B37/00 ,  G01N30/14

CPC classification number: B01J20/20 ,  B01D53/04 ,  B01D53/22 ,  B01D53/228 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/308 ,  B01D2257/102 ,  B01D2257/104 ,  B01D2257/204 ,  B01D2257/2047 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/55 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/401 ,  B01J20/28019 ,  B01J20/28078 ,  B01J20/2808 ,  B01J20/3416 ,  B01J20/3458 ,  C01B33/10705 ,  C03B37/01453 ,  C03B2201/12 ,  G01N21/09 ,  G01N21/3504 ,  G01N30/88 ,  G01N2021/3595 ,  G01N2030/8872 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P20/152 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过包括如下步骤的方法制备了四氟硅烷：加热六氟硅酸盐的步骤(1)、将步骤(1)中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与氟气反应的步骤(2-1)、将步骤(1)中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与高价金属氟化物反应的步骤(2-2)或将步骤(1)中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与氟气反应的步骤(2-1)和将步骤(2-1)中产生的四氟硅烷气体与高价金属氟化物反应的步骤(2-3)。此外，还分析了高纯度四氟硅烷中的杂质。

公开(公告)号：CN1527796A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN02813984.4

申请日：2002-07-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 跡辺仁志 ,  冈正和 ,  金子虎一

IPC: C01B33/107 ,  B01D53/22 ,  H01L31/20 ,  H01L21/205 ,  C03B37/00 ,  G01N30/14

CPC classification number: B01J20/20 ,  B01D53/04 ,  B01D53/22 ,  B01D53/228 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/308 ,  B01D2257/102 ,  B01D2257/104 ,  B01D2257/204 ,  B01D2257/2047 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/504 ,  B01D2257/55 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/401 ,  B01J20/28019 ,  B01J20/28078 ,  B01J20/2808 ,  B01J20/3416 ,  B01J20/3458 ,  C01B33/10705 ,  C03B37/01453 ,  C03B2201/12 ,  G01N21/09 ,  G01N21/3504 ,  G01N30/88 ,  G01N2021/3595 ,  G01N2030/8872 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P20/152 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过包括如下步骤的方法制备了四氟硅烷：加热六氟硅酸盐的步骤(1)、将步骤(1)中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与氟气反应的步骤(2－1)、将步骤(1)中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与高价金属氟化物反应的步骤(2－2)或将步骤(1)中产生的含六氟二硅氧烷的四氟硅烷气体与氟气反应的步骤(2－1)和将步骤(2－1)中产生的四氟硅烷气体与高价金属氟化物反应的步骤(2－3)。此外，还分析了高纯度四氟硅烷中的杂质。