公开(公告)号：CN100573828C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580023034.1

申请日：2005-07-06

申请人： 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 星野恭之 ,  寒川诚二

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

摘要： 本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气(F2)的处理气体馈入等离子体生成腔，交替地重复施加停止施加高频电场，以生成等离子体，和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外，衬底处理可如下进行，单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子，或者选择性地只获取阴离子，将其中和，以生成中性束并将中性束辐射到衬底。

公开(公告)号：CN1981367A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580023034.1

申请日：2005-07-06

申请人： 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 星野恭之 ,  寒川诚二

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

摘要： 本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气(F2)的处理气体馈入等离子体生成腔，交替地重复施加停止施加高频电场，以生成等离子体，和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外，衬底处理可如下进行，单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子，或者选择性地只获取阴离子，将其中和，以生成中性束并将中性束辐射到衬底。

公开(公告)号：CN113284799A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110176037.X

申请日：2021-02-09

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 菅原健太 ,  寒川诚二 ,  大堀大介

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法，半导体器件包括衬底、在衬底上的包含镓的第一氮化物层以及在第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层，所述方法包括：产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂；通过蚀刻剂相对于第一氮化物层选择性地去除第二氮化物层，在产生蚀刻剂时，通过气体的等离子体放电来产生蚀刻剂，在选择性地去除第二氮化物层中，防止等离子体放电时产生的紫外线照射第二和第一氮化物层，选择性地去除第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻第二氮化物层，第一压力低于包含硅原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压且高于包含镓原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。