公开(公告)号：CN1013422B

公开(公告)日：1991-07-31

申请号：CN88101323

申请日：1988-03-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 小林征男 ,  武内正隆 ,  龟山静仁 ,  大平学 ,  菊田芳和 ,  高桥豊彦

IPC: H01M10/40 ,  H01M4/36

CPC classification number: H01M10/05 ,  H01M4/60

Abstract: 一种非水二次电池，其正电极由式(1)和式(2)代表的苯胺化合物经氧化聚合而得的聚合物或其还原产物组成，负电极由(i)碱金属，(ii)碱金属合金，(iii)电导聚合物或(iv)电导聚合物与碱金属或碱金属合金的复合体所组成，电解液是由选自Li、As、F6、Li、BF4、Li、PF6的支持电解质和溶剂组成。

公开(公告)号：CN88101323A

公开(公告)日：1988-11-09

申请号：CN88101323

申请日：1988-03-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 小林征男 ,  武内正隆 ,  龟山静仁 ,  大平学 ,  菊田芳和 ,  高桥豊彦

IPC: H01M10/36 ,  H01M4/36

CPC classification number: H01M10/05 ,  H01M4/60

Abstract: 一种非水二次电池，其正电极由式(1)和式(2)代表的苯胺化合物经氧化聚合而得的聚合物或其还原产物组成，负电极由(i)碱金属，(ii)碱金属合金，(iii)电导聚合物或(iv)电导聚合物与碱金属或碱金属合金的复合体所组成，电解液是由选自LiAs、F6、LiBF4、LiPF6的支持电解质和溶剂组成。

公开(公告)号：CN1214444C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN01802037.2

申请日：2001-07-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  吉田修二 ,  大平学 ,  田中耕太郎

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  B08B7/00 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；(2)用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到；(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法；(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气，可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。

公开(公告)号：CN1386299A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802037.2

申请日：2001-07-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  吉田修二 ,  大平学 ,  田中耕太郎

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  B08B7/00 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气,通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体;(2)用于半导体生产设备的净化气,该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到;(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法;(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气,可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。