半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107993997B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201610946885.3

    申请日:2016-10-26

    摘要: 本技术涉及一种半导体器件。该半导体器件包含:多个裸芯,上下叠置,多个裸芯中的每一个包含第一主表面和在第一主表面上的IO导电图案,IO导电图案延伸到实质垂直于第一主表面的辅表面,以形成辅表面上的至少一个IO电接触,其中多个裸芯对齐,使得全部裸芯的对应的辅表面相对于彼此实质上共平面,以形成共同的平坦侧壁,以及多个IO布线迹线,形成在侧壁之上并且从侧壁至少部分地间隔开。多个IO布线迹线沿侧壁上的第一方向彼此间隔开,并且IO布线迹线中的每一个电连接到相应的IO电接触,并且在侧壁上在第二方向上延伸,第二方向实质垂直于第一方向。

    半导体封装体和制造半导体封装体的方法

    公开(公告)号:CN107994011B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201610949420.3

    申请日:2016-10-26

    IPC分类号: H01L25/065

    摘要: 本技术涉及一种半导体封装体。所述半导体封装体包含:包含多个上下叠置的第一裸芯的第一部件,第一裸芯中的每一个包含至少一个侧表面,和暴露在所述侧表面上的电接触,并且多个第一裸芯对齐,使得全部第一裸芯的对应的侧表面相对于彼此实质上共平面,以形成共同的侧壁;第一导电图案,形成在侧壁之上,并且从侧壁至少部分地间隔开,第一导电图案将多个第一裸芯的电接触电互连;至少一个第二部件;以及形成在第二部件的表面上的第二导电图案,第二导电图案固定并且电连接到第一导电图案。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107993997A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610946885.3

    申请日:2016-10-26

    摘要: 本技术涉及一种半导体器件。该半导体器件包含:多个裸芯,上下叠置,多个裸芯中的每一个包含第一主表面和在第一主表面上的IO导电图案,IO导电图案延伸到实质垂直于第一主表面的辅表面,以形成辅表面上的至少一个IO电接触,其中多个裸芯对齐,使得全部裸芯的对应的辅表面相对于彼此实质上共平面,以形成共同的平坦侧壁,以及多个IO布线迹线,形成在侧壁之上并且从侧壁至少部分地间隔开。多个IO布线迹线沿侧壁上的第一方向彼此间隔开,并且IO布线迹线中的每一个电连接到相应的IO电接触,并且在侧壁上在第二方向上延伸,第二方向实质垂直于第一方向。

    半导体封装体和制造半导体封装体的方法

    公开(公告)号:CN107994011A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610949420.3

    申请日:2016-10-26

    IPC分类号: H01L25/065

    摘要: 本技术涉及一种半导体封装体。所述半导体封装体包含:包含多个上下叠置的第一裸芯的第一部件,第一裸芯中的每一个包含至少一个侧表面,和暴露在所述侧表面上的电接触,并且多个第一裸芯对齐,使得全部第一裸芯的对应的侧表面相对于彼此实质上共平面,以形成共同的侧壁;第一导电图案,形成在侧壁之上,并且从侧壁至少部分地间隔开,第一导电图案将多个第一裸芯的电接触电互连;至少一个第二部件;以及形成在第二部件的表面上的第二导电图案,第二导电图案固定并且电连接到第一导电图案。