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公开(公告)号：CN113611784A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110458285.3
申请日：2021-04-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含一基板，包含一上表面；一半导体叠层，位于基板的上表面上，包含一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；一切割道，环绕半导体叠层并露出基板的上表面；一致密层，直接披覆于基板的上表面及半导体叠层之上；一保护层，覆盖半导体叠层；一反射层，包含一分布式布拉格反射镜结构，位于保护层之上；以及一包覆层，覆盖反射层，其中致密层包含金属氧化物。
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公开(公告)号：CN105322066B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201410327049.8
申请日：2014-07-10
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一第一半导体层，具有至少四个边界、一第一表面、一与第一表面相对的第二表面，其中任意两相邻些边界可构成一角落；一第二半导体层形成于第一半导体层的第一表面之上；一第二电性电极形成于第二半导体层之上；以及至少两个第一电性电极形成于第一半导体层的第一表面之上，其中该些第一电性电极彼此分离并形成一设计型态。
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公开(公告)号：CN105322066A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410327049.8
申请日：2014-07-10
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一第一半导体层，具有至少四个边界、一第一表面、一与第一表面相对的第二表面，其中任意两相邻些边界可构成一角落；一第二半导体层形成于第一半导体层的第一表面之上；一第二电性电极形成于第二半导体层之上；以及至少两个第一电性电极形成于第一半导体层的第一表面之上，其中该些第一电性电极彼此分离并形成一设计型态。
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公开(公告)号：CN118899328A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410534102.5
申请日：2024-04-30
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，包含：半导体叠层，包含第一半导体层以及多个半导体高台彼此间隔位于第一半导体层上；接触金属，位于半导体叠层上，包含多个第一接触部分别位于半导体高台之间并与第一半导体层电连接，以及多个第二接触部分别位于半导体高台上并与第二半导体层电连接；第一绝缘结构，位于接触金属上，包含多个第一开孔对应位于第一接触部上以及多个第二开孔对应位于第二接触部上；电流分散电极，位于第一绝缘结构上，包含第一电流分散电极以及多个第二电流分散电极；第二绝缘结构，位于电流分散电极上，包含第三开孔位于第一电流分散电极上以及多个第四开孔对应位于第二电流分散电极上；以及电极垫，位于第二绝缘结构上。
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公开(公告)号：CN112510131A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011253368.0
申请日：2014-07-10
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种光电元件，该光电元件包含：半导体叠层包含第一半导体层，活性层形成于第一半导体层之上以及第二半导体层形成于活性层之上；多个边界裸露出部分第一半导体层，多个边界的相邻两边界构成第一半导体层的角落；绝缘层包含第一开口形成于第二半导体层之上及多个第二开口形成于多个边界的一边界裸露的第一半导体层上；第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过多个第二开口以电连接第一半导体层；以及第四电极形成于该第二半导体层上，通过第一开口以电连接第二半导体层。
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公开(公告)号：CN105702811A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510822619.5
申请日：2015-11-24
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含：一半导体发光叠层包含一具有一第一电性的第一半导体层，一活性层，以及一具有一第二电性的第二半导体层；一第一导电层位于半导体发光叠层上且电连接第二半导体层；一第一绝缘层位于第一导电层上；一第二导电层位于第一绝缘层上且电连接第一半导体层；一第二绝缘层位于第二导电层上；一第一电极垫和一第二电极垫位于第二导电层上；以及一缓冲部位于第一电极垫与第二电极垫之间。
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公开(公告)号：CN112510131B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011253368.0
申请日：2014-07-10
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种光电元件，该光电元件包含：半导体叠层包含第一半导体层，活性层形成于第一半导体层之上以及第二半导体层形成于活性层之上；多个边界裸露出部分第一半导体层，多个边界的相邻两边界构成第一半导体层的角落；绝缘层包含第一开口形成于第二半导体层之上及多个第二开口形成于多个边界的一边界裸露的第一半导体层上；第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过多个第二开口以电连接第一半导体层；以及第四电极形成于该第二半导体层上，通过第一开口以电连接第二半导体层。
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公开(公告)号：CN111048644B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201911335174.2
申请日：2015-11-24
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含：一半导体发光叠层包含一具有一第一电性的第一半导体层，一活性层，以及一具有一第二电性的第二半导体层；一第一导电层位于半导体发光叠层上且电连接第二半导体层；一第一绝缘层位于第一导电层上；一第二导电层位于第一绝缘层上且电连接第一半导体层；一第二绝缘层位于第二导电层上；一第一电极垫和一第二电极垫位于第二导电层上；以及一缓冲部位于第一电极垫与第二电极垫之间。
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公开(公告)号：CN113611783A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110458091.3
申请日：2021-04-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一基板，包含一上表面及一侧边；一半导体叠层，位于基板的上表面上，包含一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；一切割道，环绕半导体叠层并露出基板的上表面；一保护层，覆盖半导体叠层及切割道；一反射层，包含一分布式布拉格反射镜结构，并覆盖保护层；以及一包覆层，覆盖反射层，其中，反射层包含一不均匀部邻近基板的侧边，且不均匀部包含一不均匀的厚度。
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公开(公告)号：CN111048644A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911335174.2
申请日：2015-11-24
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含：一半导体发光叠层包含一具有一第一电性的第一半导体层，一活性层，以及一具有一第二电性的第二半导体层；一第一导电层位于半导体发光叠层上且电连接第二半导体层；一第一绝缘层位于第一导电层上；一第二导电层位于第一绝缘层上且电连接第一半导体层；一第二绝缘层位于第二导电层上；一第一电极垫和一第二电极垫位于第二导电层上；以及一缓冲部位于第一电极垫与第二电极垫之间。
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