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公开(公告)号：CN114122209A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110987052.2
申请日：2021-08-26
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件包含：基板，包含上表面及第一侧面至第四侧面，其中上表面包含第一边连接第一侧面及第二边连接第二侧面；第一激光切痕，位于第一侧面及第二侧面；以及半导体叠层位于基板的上表面上，其中半导体叠层包含下表面，下表面包含第五边邻近第一边以及第六边相对第五边且邻近第二边；其中，第一边与第五边的距离为S1μm，第二边与第六边的距离为S2μm；自第三侧面观之，第一侧面与垂直方向形成第一锐角，其角度为θ1，第二侧面与垂直方向形成第二锐角，其角度为θ2，第一激光切痕于垂直方向上与上表面的距离为D1μm，且满足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中θa＝(θ1+θ2)/2。
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公开(公告)号：CN109256446A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768343.0
申请日：2018-07-13
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含一第一半导体层；多个半导体柱彼此分离且位于第一半导体层上，多个半导体柱各包含一第二半导体层及一活性层；一第一电极覆盖多个半导体柱的一部分；以及一第二电极覆盖多个半导体柱的另一部分，其中位于第一电极的一覆盖区域下方的多个半导体柱包含一第一间距以彼此分离，位于第一电极的覆盖区域以外的多个半导体柱包含一第二间距以彼此分离，及第一间距大于第二间距。
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公开(公告)号：CN110061111A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910043141.4
申请日：2019-01-17
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含：一基板；以及一半导体叠层形成于基板上且包含：一第一半导体层具有一第一电性；一第二半导体层具有第二电性；以及一发光叠层形成于第一、二半导体层之间；其中，在一剖视图中，第一半导体层的内部具有一第一区域包含一第一厚度，第一半导体的侧边缘具有一第二区域包含一第二厚度大于第一厚度。
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公开(公告)号：CN104103726B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410138137.3
申请日：2014-04-08
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/22 , H01L27/153 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
摘要： 本发明公开一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包含：一基板，基板包含一上表面、一底面相对于上表面以及一侧表面；一第一型态半导体层位于上表面上，其中第一型态半导体层包含一第一部分以及一第二部分，且第二部分包含一边缘围绕第一部分；一发光层在第一部分上；以及一第二型态半导体层在发光层上，其中，第二部分包含一第一表面以及一第二表面，在第一表面以及上表面之间具有一第一距离，在第二表面以及上表面之间具有一第二距离小于第一距离，其中，第一表面比第二表面粗糙，且第二表面位于边缘。
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公开(公告)号：CN114464713A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210049213.8
申请日：2018-07-13
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含基板；缓冲层位于基板上；第一半导体层位于缓冲层上；半导体柱位于第一半导体层上，半导体柱包含第二半导体层及活性层；第一接触层位于第一半导体层上，包含第一接触部及第一延伸部环绕半导体柱；第一电极接触层接触第一接触层；第二接触层位于第二半导体层上；第二电极接触层接触第二接触层，其中在发光元件的上视图上，第二电极接触层环绕第一电极接触层的多个侧壁；第一绝缘层位于第一接触层及第二接触层上，包含第一绝缘层第一开口位于第一接触部上及第一绝缘层第二开口位于第二接触层上；第一电极覆盖第一绝缘层第一开口且电连接第一半导体层；以及第二电极覆盖第一绝缘层第二开口且电连接第二半导体层。
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公开(公告)号：CN113611784A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110458285.3
申请日：2021-04-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含一基板，包含一上表面；一半导体叠层，位于基板的上表面上，包含一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；一切割道，环绕半导体叠层并露出基板的上表面；一致密层，直接披覆于基板的上表面及半导体叠层之上；一保护层，覆盖半导体叠层；一反射层，包含一分布式布拉格反射镜结构，位于保护层之上；以及一包覆层，覆盖反射层，其中致密层包含金属氧化物。
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公开(公告)号：CN110797443A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910706098.5
申请日：2019-08-01
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一发光元件，包含一基板包含一上表面，一第一侧表面及一第二侧表面，其中基板的第一侧表面及第二侧表面分别连接至基板的上表面的两相对侧；一半导体叠层位于基板的上表面上，半导体叠层包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一电极垫邻近发光元件的一第一边；以及一第二电极垫邻近发光元件的一第二边，其中自发光元件的一上视图观之，第一边及第二边位于发光元件的不同侧或相对侧，靠近第一边的第一半导体层包含一第一侧壁与基板的第一侧表面直接连接，且靠近第二边的第一半导体层包含一第二侧壁与基板的第二侧表面相隔一距离。
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公开(公告)号：CN118367073A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311753937.1
申请日：2023-12-19
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含：一基板，包含一上表面以及多个侧表面，其中多个侧表面包含第一侧表面以及第二侧表面相对于第一侧表面；以及一半导体叠层，位于上表面；其中：第一侧表面包含多个第一改质区，且多个第一改质区组成第一改质条痕；基板包含单晶六方晶格结构，第一侧表面及第二侧表面倾斜于单晶六方晶格结构的m面，且第一侧表面与m面之间形成一锐角夹角；以及第一侧表面包含一褶曲结构。
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公开(公告)号：CN110061111B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910043141.4
申请日：2019-01-17
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该制造方法包含：提供基板，包含第一区域以及第二区域；形成掩模层于第二区域上；外延成长半导体叠层于第一区域上，以及外延成长非单晶叠层于掩模层上，其中半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及发光叠层位于第一与第二半导体层之间，发光叠层包含AlXGa(1‑X)N于第一区域上，其中掩模层的高度小于半导体叠层的厚度使该第一区域上的该半导体叠层以及该掩模层上的该非单晶叠层相连接成长；以及沿着第二区域进行切割。
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