-
公开(公告)号：CN112760604B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201911064779.2
申请日：2019-11-01
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种在金刚石衬底上沉积高C轴取向氮化铝薄膜的方法，涉及压电薄膜制备技术领域。本发明采用射频反应磁控溅射技术，具体步骤包括真空预处理、衬底预处理、靶材预溅射、薄膜沉积，随着一次或多次沉积过程的进行，不固定可单独调节的工艺参数，而是在其原有基础上进行调整，从而控制靶材自偏压一直稳定在设定值。本发明在金刚石上沉积的氮化铝薄膜具有高C轴取向，且相较于传统方法具备较高的工艺稳定性和重复性，便于节约成本、保证薄膜性能的一致性，适用于工业大规模生产。
-
公开(公告)号：CN112553575B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011412059.3
申请日：2020-12-02
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种多层复合二氧化氮气敏薄膜及其制备方法，其中薄膜包括：带有氧化层的硅基片，以及自下而上依次沉积在硅基片表面的氧化锡层、三氧化钨层、贵金属层。其制备方法是采用直流掠射角磁控溅射技术，分别以锡、钨及贵金属为靶材，依次在硅基片表面沉积氧化锡、三氧化钨、贵金属薄膜，之后将试样置于马弗炉中进行热处理。本发明制备的多层复合气敏薄膜对二氧化氮灵敏度高，能在150℃的较低温度下检测0.1ppm的二氧化氮气体，有利于实现MEMS传感器的低功耗，也具备较低的基线电阻，适用于针对MEMS器件的检测电路。同时本发明采用的制备方法便于控制气敏材料的均匀性，与MEMS工艺兼容性高，适合于工业大规模生产。
-
公开(公告)号：CN112394090A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910757333.1
申请日：2019-08-15
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种二氧化氮气体传感器元件及其制备方法。该二氧化氮气体传感器元件，包括依次沉积在表面具有氧化层的硅基片上的三氧化钨薄膜、铂薄膜和金叉指电极；其中所述三氧化钨薄膜和铂薄膜分别采用掠射角磁控溅射法沉积，掠射角分别为10°～30°。本发明的二氧化氮气体传感器元件中铂/三氧化钨复合薄膜整体电阻率较低，将金叉指电极设置于铂薄膜表面也使得测试电阻进一步降低，便于元件的集成与测试。同时相较于传统粉末材料，采用掠射角磁控溅射制备的铂/三氧化钨复合薄膜均匀性好，一致性高，薄膜与基体的附着力高，可在200℃以下检测低浓度(0.1ppm)二氧化氮气体，灵敏度高，选择性好。
-
公开(公告)号：CN111017986A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911345065.9
申请日：2019-12-24
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C01G3/02 , C01G9/02 , C01B32/184 , G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种还原氧化石墨烯-CuO/ZnO气敏材料的制备方法：将硝酸锌·六水合物和硝酸铜·三水合物加入到去离子水中得到铜锌前驱体溶液；将尿素加入至铜锌前驱体溶液；将还原氧化石墨烯分散在去离子水中，超声分散得到还原氧化石墨烯胶体溶液；将胶体溶液与前驱体溶液混合，得到的悬浮液；将悬浮液转移到聚四氟乙烯衬里高压反应釜中，将反应釜放入电炉中反应，得到还原氧化石墨烯-锌铜氢氧化碳酸盐复合物；将复合物冷却、洗涤、干燥，得到蓝灰色粉体；将粉体置于马弗炉中退火，得到气敏材料。本发明简单易行，材料低温响应性能良好，解决了传统ZnO基材料对丙酮气体选择性很差且在150℃及以下低温下没有响应的技术问题。
-
公开(公告)号：CN113588876A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110790818.8
申请日：2021-07-13
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法，采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构，同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口，并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极，之后在色谱柱上加载固定相，在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料，并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离，提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时，将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成，能够显著降低传感器的体积，利于实现传感器的小型化，适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。
-
公开(公告)号：CN112557460A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011412747.X
申请日：2020-12-02
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度三氧化钨气敏薄膜的制备方法，涉及气敏薄膜制备技术领域。本发明将带有氧化层的硅基片置于氟化铵、氢氟酸及去离子水的混合溶液中静置一段时间，之后再采用射频掠射角磁控溅射在处理后的硅基片表面沉积三氧化钨薄膜并进行热处理。本发明能够提高在硅基体上沉积的三氧化钨气敏薄膜对二氧化氮的灵敏度，且制备工艺简单，与目前微型气体传感器的制备工艺兼容性高，便于实现硅基集成，适合于工业大规模生产。
-
公开(公告)号：CN112760604A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911064779.2
申请日：2019-11-01
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种在金刚石衬底上沉积高C轴取向氮化铝薄膜的方法，涉及压电薄膜制备技术领域。本发明采用射频反应磁控溅射技术，具体步骤包括真空预处理、衬底预处理、靶材预溅射、薄膜沉积，随着一次或多次沉积过程的进行，不固定可单独调节的工艺参数，而是在其原有基础上进行调整，从而控制靶材自偏压一直稳定在设定值。本发明在金刚石上沉积的氮化铝薄膜具有高C轴取向，且相较于传统方法具备较高的工艺稳定性和重复性，便于节约成本、保证薄膜性能的一致性，适用于工业大规模生产。
-
公开(公告)号：CN113588876B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110790818.8
申请日：2021-07-13
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法，采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构，同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口，并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极，之后在色谱柱上加载固定相，在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料，并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离，提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时，将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成，能够显著降低传感器的体积，利于实现传感器的小型化，适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。
-
公开(公告)号：CN111239204A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811450315.0
申请日：2018-11-29
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种双金属氧化物半导体气敏材料及其制备方法。该气敏材料由原位生成的纳米碳和双金属氧化物纳米颗粒组成，所述双金属氧化物为Co、Zn、Cu中任意两种金属的氧化物。其制备方法包括如下步骤：(1)将两种金属盐加入到乙醇中，搅拌至形成澄清溶液；(2)将沉淀剂溶于无水乙醇中，室温下搅拌形成澄清溶液；(3)将金属盐溶液缓慢滴入沉淀剂溶液，并充分搅拌得到双金属氧化物前驱体沉淀；(4)用无水乙醇洗涤前驱体沉淀，并干燥；(5)将沉淀研磨，并进行煅烧；(6)用无水乙醇洗涤得到的粉末，并干燥，得到双金属氧化物半导体气敏材料。本发明的气敏材料针对环境中的乙醇气体具有较好的气体检测性能，其制备方法简便，易于放大。
-
公开(公告)号：CN117865655A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410042543.3
申请日：2024-01-11
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , G01N27/00 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明属于高温陶瓷共烧(HTCC)领域，具体涉及一种高收缩氧化铝绝缘陶瓷膜及其制备方法和应用。本方法首先将粒度D50为30nm‑100nm且形貌为球形的γ‑Al2O3粉体与有机溶剂、表面活性剂混合后超声分散，配制成γ‑Al2O3混合液；接着，将所述γ‑Al2O3混合液与粒度D50为500nm‑2μm且形貌为高导热角型的α‑Al2O3粉体、以及助烧剂、有机溶剂、表面活性剂、粘结剂、增塑剂混合球磨，得到Al2O3复合浆料；最后，将所述Al2O3复合浆料通过流延成型的方法制备成氧化铝生瓷带，然后烧结，得到所述高收缩氧化铝绝缘陶瓷膜。本发明所述的氧化铝生瓷带用于氧或氮氧传感器中，能够有效解决与固体电解质YSZ材料共烧不匹配出现的开裂、翘曲等问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.029 秒)
