公开(公告)号：CN101329209B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810110258.1

申请日：2008-06-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 原田仁 ,  福田裕一 ,  樫村之哉 ,  土肥瑞穗

IPC: G01L3/10 ,  B62D5/04

CPC classification number: G01L3/102 ,  G01L3/105

Abstract: 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B)，其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场，以满足以下条件：Hm＜Hin＜Hn；且-Hm＞-Hin＞-Hn，其中Hm(＞0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场，示出了由交变磁场引起的磁化，Hn(＞0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场，Hin(＞0)是确定灵敏度范围的施加磁场，该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。

公开(公告)号：CN101329209A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810110258.1

申请日：2008-06-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 原田仁 ,  福田裕一 ,  樫村之哉 ,  土肥瑞穗

IPC: G01L3/10 ,  B62D5/04

CPC classification number: G01L3/102 ,  G01L3/105

Abstract: 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B)，其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场，以满足以下条件：Hm＜Hin＜Hn；且－Hm＞－Hin＞－Hn，其中Hm(＞0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场，示出了由交变磁场引起的磁化，Hn(＞0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场，Hin(＞0)是确定灵敏度范围的施加磁场，该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。